Kioxia和西部数据合作创造XL-FLASH来抗衡英特尔Optane
持久存储市场中出现了一个新的参与者，这要归功于kioxia（以前是东芝）和西部数据，并且可能会促使英特尔和三星改进其自己的解决方案。英特尔optane技术目前领先，到目前为止三星的z-nand还没能撼动局面，但kioxia和西部数据着手创造一种替代方案xl-flash，可以满足企业客户和数据中心不断增长的存储需求。
本质上，xl-flash与optane类似，它位于内存层次结构图中的nand和ram之间，将这两种技术的优点结合在一起，从而在成本和性能之间取得平衡。这可以用于高速缓存和纯存储设备，但xl-flash的一个更重要的特点是，它的设计与英特尔和amd平台都兼容。
与基于闪存的存储相比，optane的价格有点太昂贵了，三星的z-nand也是如此，后者实际上只是低延迟的slc nand存储，与optane相比，它提供了更好的耐用性，电源效率，顺序性能和游戏负载性能。两者仍然比基于nand的解决方案贵几倍。
这也是kioxia和西部数据在设计xl-flash时考虑的一个领域。这两家公司使用bics flash 3d闪存作为新技术的起点，这意味着与optane和dram相比，它们能够实现相对较低的成本。它们将存储单元堆叠在16个平面上可获得更高的密度，而简化的结构可使读取延迟约为5微秒，编程延迟约为7微秒。
kioxia和西部数据希望首先将xl-flash用作其高密度qlc nandssd的slc缓存，但他们也正在探索制造mlc版本的新存储技术以及dimm解决方案。最终我们可以购买的用于游戏和工作站pc的消费级xl-flash固态硬盘。
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