为什么单片机的晶振旁边要加电容呢?

引言
说到“晶振”,或者晶体谐振器(crystal resonator),你一定不陌生,很多电子产品中都有它的身影,网上随便一搜就可看到很多:
特别的,如果你有带电子手表的习惯,那么拆开手表,里面驱动计时的就是一颗晶振,它有着36.768khz的振荡频率
为什么是36.768khz这个频率?这里我们暂且不表,先来讲述一些关于晶振的基本概念。
一、晶振的压电效应
我们把晶振的外壳去除,可以看到内部是一种半透明的材质,外加两个引出的电极引脚
这种半透明的材质叫做“石英”晶体(quatz)。石英由硅元素(si)和氧元素(o)构建而成,结晶时,其原子在空间上排列非常规则(白色代表si,红色代表o)。
由于这种空间上的特殊排列组合,在没有被挤压的时候,晶格的中心位置上正负电抵消,是0电势,但是当受到外在压力时,晶格的中心位置上的电势会偏移,从而产生电压。
这种现象就是“压电效应”:当对压电材料施以压力时,能产生电;反过来,当给压电材料通电,能产生形变。
譬如,我们用对石英晶体进行敲打,能用万用表测得电压的变化。
可以想象,石英这种压电材料,其实质就是将机械能和电能相互转换,所以有时也被称为“换能器”(transducer)。
特别的,每种材料都有自己的共振频率,如果施加的是交流电,电的频率和材料本身的共振频率一致,能量就会在机械能和电能最大化转换。这种共振频率取决于石英晶体的切割方式,如由石英晶体的尺寸(厚度)、形状、振动模式等因素来决定。
图6-晶振振动模式(手表里通常都是音叉式晶振,对照图2)
二、晶振的阻抗特性
晶振本身只是一种单纯的压电材料,为了电学上的计算分析,我们绘制它的等效电路:
图7-晶振的等效电路
等效电路分为两部分:一部分是lm、cm、rm构建的串联电路,这部分代表着晶振在发生形变振动时的效果,老外也将其称为晶振的运动(motional)参数;另一部分是一个c0并联在lcr电路上,这个c0的容值比cm要大很多,代表了两个电极引脚产生的分布或寄生电容。
这种电路组合意味着晶振有两个谐振频率,一个是由lm、cm、rm串联电路形成的谐振频率fs;另一个是lm、cm、rm整体与c0并联电路形成的谐振频率fp:
图8-晶振的阻抗特性曲线(红线)
当晶振上通过的信号频率:
小于fs时,电路更显容性;等于fs时,容性阻抗和感性阻抗相互抵消,电路呈现纯阻性,电路整体阻抗最小;大于fs时,电路更显感性;等于fp时,c0与lm、cm、rm(显感性)形成lc并联谐振电路,电路呈现纯阻性,电路整体阻抗最大;大于fp时,电路更显容性;我们来看一下fs和fp的计算公式:
图9-晶振串联和并联谐振频率计算
由于lm很大(数百mh甚至更大),c0相比cs也很大,这导致fs和fp是非常接近的。实际上晶振的工作频率(标称频率)就是处于fs和fp之间的某个频率值。
那你说晶振看起来就是一个lc电路啊,那直接用lc来做就行了,费这么大劲搞什么压电效应这是何必呢?
这是因为现实当中,出于成本、工艺、体积等考虑,使用lc等元器件搭建的电路,很难做到像晶振里等效lm(电感很大)、rm(电阻很小)的程度,而这些参数和lc电路的品质因素q有关系:
图10-晶振的品质因素计算
晶振的q一般能达到数千的数值,而普通lc电路的q只有数百的数值。q越大,选频能力越好,振荡越稳定。这就是晶振相比传统lc电路的优势。
三、晶振的振荡电路——皮尔斯振荡器(pierce oscillator)
说了这么多,你应该理解了,平时所谓的“晶振”,只是一种基于压电材料的元器件,而且计算上就把它当做是lc电路来分析。作为lc类被动型元器件,它可以用于滤波或者相移,但本身不是振荡器,还需要依靠额外的电路才能获得稳定振荡。这就要说到振荡器模型:
图11-振荡器模型
如果连续看过本期系列文章,就知道这个模型出现过多次,晶振的角色肯定是位于反馈网络里的。根据barkhausen(巴克豪森)准则,在振荡频率上,晶振要实现反馈信号和输入信号(热噪声)满足0相位差,起到正反馈的作用。怎么实现呢?这就说到皮尔斯振荡器了:
图12-皮尔斯振荡器(pierce oscillator)
上图中,线框起来的部分一般都在单片机内部实现,如stm32就是这样的,但也有例外的单片机。两个c1和c2统称为负载电容(通常为数十个pf),rs为串联电阻,rf为反馈电阻,运放作为反向器。
为了更好的理解皮尔斯振荡器的工作原理,我们将上述电路图改画如下:
图13-皮尔斯振荡器-电路图
上图,由于运放作为反向器,对信号相位改变180°。那么,整个rs、c1、c2、晶振构成的反馈网络的整体相移也需是180°。其中,rs和c1构成一个rc电路,具体相移多少由两者参数而定,但rc电路相移肯定小于90°。这意味着晶振和c2上的相移必定要大于90°才行。
回顾图7的晶振阻抗特性曲线,只有当晶振作为一个电感的时候,晶振和c2上的相移才能大于90°。也就是说,晶振的振荡频率要求在fs和fp之间。
实际上,所谓的晶振“标称频率”,如4mhz、8mhz、16mhz,都是在指附加了某个负载电容情况下测得的,这点从晶振的规格书上可以看到:
图14-晶振规格书-负载电容(见图中“load capacitance”)
可以理解为,负载电容是晶振正常工作的一部分。
最后,我们来看一下皮尔斯振荡器的仿真电路图效果:
图15-皮尔斯振荡器-仿真电路图效果
四、总结
今天介绍了晶振的压电效应、等效电路、以及振荡器电路。mcu晶振旁边通常要加上负载电容,因为它们是振荡器起振的一部分,而不是为了滤波。
值得注意的是,今天说的晶振通常指的是“晶体谐振器”(crystal resonator),它是无源的,需要借助外部振荡电路来工作。还有一种称为“晶体谐振器”(crystal oscillator),在它内部有芯片,包含了完整的皮尔斯振荡器电路,接上电源就能输出振荡波形了。

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