晶扬电子推出业界最低容值的单路单向深回滞ESD产品TT0311SA-Fx
esd低电容方向发展
随着5g通信、人工智能以及物联网等新兴产业的蓬勃发展，半导体的制程工艺发展的越来越快，ic的敏感度也越来越高，对静电防护的需求达到了一个更高的层次。同时，在高速信号传输静电保护领域，更小的电容是一个主要的发展方向，这是因为过大的电容会引起传输过程中的信号缺失，大电容也会导致充放电时间过长降低器件的开关速度，这也就要求esd防护器件要向低电容方向发展。
esd单向防护优势
单向信号是指该信号线只会出现正电压或只会出现负电压，一般可选用单向或双向tvs。通常情况下，工程师在tvs选型时更倾向于选用双向tvs，原因如下：
1.选用双向tvs可避免方向性问题；
2.同样的封装下，双向tvs相比单向tvs容值能达到更低，尤其是针对高速信号传输的场景，要求tvs具有更低的容值；
单向tvs和双向tvs比较
但在某些单向信号传输中若选用双向tvs，可能会使tvs的保护效果无法达到最佳，因为双向tvs在正负电压均达到击穿电压时才会启动导通。在正电压时，单向tvs与双向tvs的导通特性曲线是相似的。但在负电压时单向tvs约-0.7v会forward导通，而双向tvs在负电压时需达到负向击穿电压才能导通(如5v tvs的vbr约为-6v)，此时由于主芯片常为高阶制程，i/o防护电路十分脆弱，会导致主芯片内部的衬底二极管率先导通而烧毁，从而导致主芯片损坏。
此外，若比较同样封装的单向tvs及双向tvs时，会发现单向tvs的钳位电压优于双向tvs，这是因为在同样的芯片面积的条件下，双向tvs需设计的元件数量更多，结构更复杂。而单向tvs则可以最大化保护元件的面积，有效降低钳位电压及动态导通电阻，提升保护性能。
业界最低容值的单路单向深回滞esd产品tt0311sa-fx
针对上述问题，晶扬电子器件研发部克服一切困难，解决技术难题，面向高速信号传输线应用场景如usb 3.x和usb 4.0，研发出了业界最低容值的单路单向深回滞型esd静电保护器-tt0311sa-fx，具有极低的电容值0.24pf，深度折回电压达到3v，是目前业界单路单向产品中容值最低的。
深回滞型esd在电压触发后，会在瞬间降低esd两端的钳位电压，在同样ipp电流的情况下，深回滞型esd的vc钳位电压比常规的esd器件低30%以上（目前在华为等电信设备商的测试需求中，专门强调了防静电esd的回扫特性）。
同时，tt0311sa-fx还具有iec61000-4-2测试等级的空气15kv、接触14kv的静电防护能力，这些优异的性能使tt0311sa-fx能有效的为后端ic以及整个电路提供强大的静电保护能力。
tt0311sa-fx规格书
usb高速接口esd注意事项
对于usb 3.x和usb 4.0高速接口，选择esd/eos保护组件时需考虑以下几点：
1.为确保通过usb 3.x和usb 4.0传递的高速信号的完整性，选择该器件时需使用具有较低电容的esd保护器件。
2.具有较高的esd耐电压能力，至少要承受iec 61000-4-2中规定的8kv接触放电的esd冲击。
3.具有较低的钳位电压，以提供更好的保护性能。
layout设计时的注意事项
1.将esd保护器件尽可能靠近i/o连接器放置，以减少esd接地路径，提高保护性能。
2.在usb 3.x和usb 4.0 应用中，应将esd保护器件放置在tx差分通道上的交流耦合电容器和i/o连接器之间，如此没有直流电流可以流过esd保护器件，从而防止任何潜在的闩锁风险。
3.尽可能使用弯曲的迹线，以避免不必要的反射。
4.保持差分数据通道的正线和负线之间的走线长度相等，以避免共模噪声的产生和阻抗失配。
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esd单向防护优势
单向信号是指该信号线只会出现正电压或只会出现负电压，一般可选用单向或双向tvs。通常情况下，工程师在tvs选型时更倾向于选用双向tvs，原因如下：
1.选用双向tvs可避免方向性问题；
2.同样的封装下，双向tvs相比单向tvs容值能达到更低，尤其是针对高速信号传输的场景，要求tvs具有更低的容值；
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但在某些单向信号传输中若选用双向tvs，可能会使tvs的保护效果无法达到最佳，因为双向tvs在正负电压均达到击穿电压时才会启动导通。在正电压时，单向tvs与双向tvs的导通特性曲线是相似的。但在负电压时单向tvs约-0.7v会forward导通，而双向tvs在负电压时需达到负向击穿电压才能导通(如5v tvs的vbr约为-6v)，此时由于主芯片常为高阶制程，i/o防护电路十分脆弱，会导致主芯片内部的衬底二极管率先导通而烧毁，从而导致主芯片损坏。
此外，若比较同样封装的单向tvs及双向tvs时，会发现单向tvs的钳位电压优于双向tvs，这是因为在同样的芯片面积的条件下，双向tvs需设计的元件数量更多，结构更复杂。而单向tvs则可以最大化保护元件的面积，有效降低钳位电压及动态导通电阻，提升保护性能。
业界最低容值的单路单向深回滞esd产品tt0311sa-fx
针对上述问题，晶扬电子器件研发部克服一切困难，解决技术难题，面向高速信号传输线应用场景如usb 3.x和usb 4.0，研发出了业界最低容值的单路单向深回滞型esd静电保护器-tt0311sa-fx，具有极低的电容值0.24pf，深度折回电压达到3v，是目前业界单路单向产品中容值最低的。
深回滞型esd在电压触发后，会在瞬间降低esd两端的钳位电压，在同样ipp电流的情况下，深回滞型esd的vc钳位电压比常规的esd器件低30%以上（目前在华为等电信设备商的测试需求中，专门强调了防静电esd的回扫特性）。
同时，tt0311sa-fx还具有iec61000-4-2测试等级的空气15kv、接触14kv的静电防护能力，这些优异的性能使tt0311sa-fx能有效的为后端ic以及整个电路提供强大的静电保护能力。
tt0311sa-fx规格书
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1.为确保通过usb 3.x和usb 4.0传递的高速信号的完整性，选择该器件时需使用具有较低电容的esd保护器件。
2.具有较高的esd耐电压能力，至少要承受iec 61000-4-2中规定的8kv接触放电的esd冲击。
3.具有较低的钳位电压，以提供更好的保护性能。
layout设计时的注意事项
1.将esd保护器件尽可能靠近i/o连接器放置，以减少esd接地路径，提高保护性能。
2.在usb 3.x和usb 4.0 应用中，应将esd保护器件放置在tx差分通道上的交流耦合电容器和i/o连接器之间，如此没有直流电流可以流过esd保护器件，从而防止任何潜在的闩锁风险。
3.尽可能使用弯曲的迹线，以避免不必要的反射。
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