RRAM的研究进展 RRAM的四大发展机遇
台积电正在提供嵌入式 rram 作为其 28 纳米 cmos 制造工艺的一个选项，英飞凌表示将在 2023 年底之前将其用于向客户提供的mcu样品。
据英飞凌称，其下一代aurix微控制器将使用嵌入式非易失性存储器，特别是电阻式随机存取存储器（rram），而不是嵌入式闪存（eflash），并将在台积电的28纳米节点上制造。
虽然基于台积电28纳米eflash技术的autrix tc4x系列微控制器样品已经交付给主要客户，但基于台积电28纳米rram技术的第一批样品将于2023年底提供给客户。英飞凌表示，autrix tc4x系列微控制器专为adas而设计，可提供新的e/e架构和经济实惠的ai应用。
嵌入式闪存微控制器自推出第一批发动机管理系统以来，就被用作汽车中的ecu，市场上大多数mcu系列都基于eflash技术，但该技术一直在努力迁移到28纳米以下，并且也被认为效率低于rram。英飞凌认为，与台积电的合作成功奠定了rram在汽车领域的基础，并使其autrix系列微控制器具有更广泛的供应基础。
新型存储器中，rram不仅满足高读写速度和存储密度的要求，同时延迟可降低1000倍，可满足未来智能驾驶高实时数据吞吐量。安全性方面，rram具备可靠性，未来有望出现高性能、高集成度、高稳定性和低功耗的车规rram存储器。
rram有多种变体，通常在标准 cmos 逻辑上沉积过渡金属氧化物 (tmo) 层。每个公司的材料配方和分层结构可能是独一无二的，但通常 rram 是基于金属离子和氧空位在电压下的迁移，以建立和断开存储单元中的丝状传导路径。
英飞凌声称，台积电提供的带有 rram 的 aurix 微控制器将提供更高的抗扰度，并允许按位写入而无需擦除，从而实现优于嵌入式闪存的性能。英飞凌表示，循环耐力和数据保留与闪存相当。
台积电业务发展高级副总裁kevin zhang表示，台积电和英飞凌已经在一系列不同应用中就rram技术进行了近十年的合作，将tc4x迁移到rram将为在微控制器缩小到更小的节点方面开辟新的机遇。
目前，台积电的非易失性存储器解决方案包括闪存、自旋传递扭矩mram（stt-mram）和rram。该代工厂还在探索相变ram（pcram）和自旋轨道扭矩mram（sot-mram）技术。
2018年，台积电开始量产汽车用40纳米eflash技术，但其40纳米超低功耗嵌入式rram技术，完全兼容cmos工艺，已于2017年底进入风险生产。2021年，代工厂的40纳米rram技术成功进入量产，28纳米和22纳米节点也可作为物联网市场的低成本解决方案。
rram的研究进展
在商业化上，crossbar、昕原半导体、松下、adesto、elpida、东芝、索尼、美光、海力士、富士通等厂商都在开展rram的研究和生产。在代工厂方面，中芯国际、台积电和联电都已经将rram纳入自己未来的发展版图中。已量产的海外rram存储器主要有adesto的130纳米cbram和松下的180纳米rram。松下（panasonic）在2013年开始出货rram，成为世界第一家出货rram的公司。接着，松下与富士通联合推出了第二代rram技术，基于180纳米工艺。而adesto 一直在缓慢地出货低密度 cbram；中国的昕原半导体在crossbar的基础上实现了技术核心升级和工艺制程的改进，实现28纳米量产，并且已建成自己的首条量产线，拥有了垂直一体化存储器设计加制造的能力；兆易创新和rambus宣布合作建立合资企业合肥睿科微，进行rram技术的商业化，但目前还无量产消息。
rram的四大发展机遇
物联网：aiot需要数据的实时交互，因此不仅要求存储器低功耗，也需要高读写和低延迟。目前的nor flash存储密度低、容量小、功耗高，无法实现高写入速度。而rram在保证读性能的情况下，写入速度可提升1000倍，同时可实现更高存储密度和十分低的功耗，未来将会是取代nor flash成为万物智联时代存储器的最佳选择。
智能汽车：未来单车存储容量将达到2tb-11tb，一辆l4/l5级自动驾驶汽车至少需要74gb dram和1tb nand。新型存储器中，rram不仅满足高读写速度和存储密度的要求，同时延迟可降低1000倍，可满足未来智能驾驶高实时数据吞吐量。
数据中心：rram相较nand可提升100倍的读写性能，同时保持更低的功耗和高存储密度，有望解决未来数据中心高能效比，低延迟的需求，实现更高性能的ai数据中心。
1000W功率放大器电路原理图
西部数据为其数据中心系统推出2款全新Ultrastar存储服务器平台
中国半导体行业协会秘书长、赛迪研究院院长张立一行莅临扬杰科技调研
Redmi K40较上一代手机CPU性能提升75%
小米note2和荣耀9谁更值得买?小米note2和荣耀9区别对比
RRAM的研究进展 RRAM的四大发展机遇
魅蓝X怎么样？魅蓝X评测：双面玻璃+夏普屏+联发科P20，这款魅蓝旗舰已经降至冰点价
小熊电器未来高增速发展或难以保持
明年国产手机涨价，魅族先涨了！
基于can总线技术的电子控制系统单元在汽车网络系统中的应用
工业互联网多维度推动行业融通发展
吾予论币：3.12区块链主流货币比特币本周开启回调，低位是否想开始抄底
人脸识别碰撞智慧机场 新科技不断擦出火花
智能可穿戴设备同比增长高达到105.5%，主要源于4G儿童手表市场的迅猛增长
洗衣机清洁剂真的可以清洗洗衣机吗？
基于MSP430的质子旋进式磁力仪设计
2021骨感耳机哪个好？骨感耳机最好的品牌
Kaggle机器学习/数据科学现状调查
聚焦技术创新，JVE非我的产品战略的“靶心”在哪？
工业互联网概念_工业互联网面临的几个主要问题
据英飞凌称，其下一代aurix微控制器将使用嵌入式非易失性存储器，特别是电阻式随机存取存储器（rram），而不是嵌入式闪存（eflash），并将在台积电的28纳米节点上制造。
虽然基于台积电28纳米eflash技术的autrix tc4x系列微控制器样品已经交付给主要客户，但基于台积电28纳米rram技术的第一批样品将于2023年底提供给客户。英飞凌表示，autrix tc4x系列微控制器专为adas而设计，可提供新的e/e架构和经济实惠的ai应用。
嵌入式闪存微控制器自推出第一批发动机管理系统以来，就被用作汽车中的ecu，市场上大多数mcu系列都基于eflash技术，但该技术一直在努力迁移到28纳米以下，并且也被认为效率低于rram。英飞凌认为，与台积电的合作成功奠定了rram在汽车领域的基础，并使其autrix系列微控制器具有更广泛的供应基础。
新型存储器中，rram不仅满足高读写速度和存储密度的要求，同时延迟可降低1000倍，可满足未来智能驾驶高实时数据吞吐量。安全性方面，rram具备可靠性，未来有望出现高性能、高集成度、高稳定性和低功耗的车规rram存储器。
rram有多种变体，通常在标准 cmos 逻辑上沉积过渡金属氧化物 (tmo) 层。每个公司的材料配方和分层结构可能是独一无二的，但通常 rram 是基于金属离子和氧空位在电压下的迁移，以建立和断开存储单元中的丝状传导路径。
英飞凌声称，台积电提供的带有 rram 的 aurix 微控制器将提供更高的抗扰度，并允许按位写入而无需擦除，从而实现优于嵌入式闪存的性能。英飞凌表示，循环耐力和数据保留与闪存相当。
台积电业务发展高级副总裁kevin zhang表示，台积电和英飞凌已经在一系列不同应用中就rram技术进行了近十年的合作，将tc4x迁移到rram将为在微控制器缩小到更小的节点方面开辟新的机遇。
目前，台积电的非易失性存储器解决方案包括闪存、自旋传递扭矩mram（stt-mram）和rram。该代工厂还在探索相变ram（pcram）和自旋轨道扭矩mram（sot-mram）技术。
2018年，台积电开始量产汽车用40纳米eflash技术，但其40纳米超低功耗嵌入式rram技术，完全兼容cmos工艺，已于2017年底进入风险生产。2021年，代工厂的40纳米rram技术成功进入量产，28纳米和22纳米节点也可作为物联网市场的低成本解决方案。
rram的研究进展
在商业化上，crossbar、昕原半导体、松下、adesto、elpida、东芝、索尼、美光、海力士、富士通等厂商都在开展rram的研究和生产。在代工厂方面，中芯国际、台积电和联电都已经将rram纳入自己未来的发展版图中。已量产的海外rram存储器主要有adesto的130纳米cbram和松下的180纳米rram。松下（panasonic）在2013年开始出货rram，成为世界第一家出货rram的公司。接着，松下与富士通联合推出了第二代rram技术，基于180纳米工艺。而adesto 一直在缓慢地出货低密度 cbram；中国的昕原半导体在crossbar的基础上实现了技术核心升级和工艺制程的改进，实现28纳米量产，并且已建成自己的首条量产线，拥有了垂直一体化存储器设计加制造的能力；兆易创新和rambus宣布合作建立合资企业合肥睿科微，进行rram技术的商业化，但目前还无量产消息。
rram的四大发展机遇
物联网：aiot需要数据的实时交互，因此不仅要求存储器低功耗，也需要高读写和低延迟。目前的nor flash存储密度低、容量小、功耗高，无法实现高写入速度。而rram在保证读性能的情况下，写入速度可提升1000倍，同时可实现更高存储密度和十分低的功耗，未来将会是取代nor flash成为万物智联时代存储器的最佳选择。
智能汽车：未来单车存储容量将达到2tb-11tb，一辆l4/l5级自动驾驶汽车至少需要74gb dram和1tb nand。新型存储器中，rram不仅满足高读写速度和存储密度的要求，同时延迟可降低1000倍，可满足未来智能驾驶高实时数据吞吐量。
数据中心：rram相较nand可提升100倍的读写性能，同时保持更低的功耗和高存储密度，有望解决未来数据中心高能效比，低延迟的需求，实现更高性能的ai数据中心。
1000W功率放大器电路原理图
西部数据为其数据中心系统推出2款全新Ultrastar存储服务器平台
中国半导体行业协会秘书长、赛迪研究院院长张立一行莅临扬杰科技调研
Redmi K40较上一代手机CPU性能提升75%
小米note2和荣耀9谁更值得买?小米note2和荣耀9区别对比
RRAM的研究进展 RRAM的四大发展机遇
魅蓝X怎么样？魅蓝X评测：双面玻璃+夏普屏+联发科P20，这款魅蓝旗舰已经降至冰点价
小熊电器未来高增速发展或难以保持
明年国产手机涨价，魅族先涨了！
基于can总线技术的电子控制系统单元在汽车网络系统中的应用
工业互联网多维度推动行业融通发展
吾予论币：3.12区块链主流货币比特币本周开启回调，低位是否想开始抄底
人脸识别碰撞智慧机场 新科技不断擦出火花
智能可穿戴设备同比增长高达到105.5%，主要源于4G儿童手表市场的迅猛增长
洗衣机清洁剂真的可以清洗洗衣机吗？
基于MSP430的质子旋进式磁力仪设计
2021骨感耳机哪个好？骨感耳机最好的品牌
Kaggle机器学习/数据科学现状调查
聚焦技术创新，JVE非我的产品战略的“靶心”在哪？
工业互联网概念_工业互联网面临的几个主要问题