MOS管的三个极和应用电路
mos，是mosfet的缩写。mosfet金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, mosfet)。
mos管是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。mos管的source和drain是可以对调的，他们都是在p型backgate中形成的n型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。
mos管是电路设计中常用的功率开关器件，是压控型的，有三个电极，分别是：栅极g、源极s、漏极d。接下来详细介绍一下关于mos管的三个极。
mos管的三个极
mos管的三个极分别是：栅极g，源极s，漏极d，要求栅极和源及之间电压大于某一特定值，漏极和源及才能导通。
栅极g：mos管的栅极g是控制端，名字为gate，在g端加入高低电平即可控制mos管的开断。对于nmos而言，要求vgs>0时，mos管导通，否则mos关断;对于pmos而言，要求vgs<0时,mos管导通，否则mos关断。
源极s：源极，名字为source，简称s。对nmos而言，源极s是流出端，对pmos而言，源极s是流入端。
漏极d：漏极，名字为drain，简称d。对nmos而言，漏极d是流入端，对pmos而言，源极s是流出端。
mos管的应用电路
mos管作为功率器件主要以开关状态应用在主回路中，此外还有放大、阻抗变换、振荡等等作用。
mos管用作反激电源开关管
由mos管组成的全桥逆变电路
mos管应用放大电路
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