NP2301AMR 20V p通道增强模式MOSFET
描述
np2301amr采用了先进的沟槽技术
提供优良的rds(on)，低栅电荷和
工作电压低至1.8v。这个设备
适合用作负载开关或pwm
应用程序。
一般特征
vds = -20v, id = -2.8a
rds(上)(typ) = 60 mω@vgs = -4.5 v
rds(上)(typ) = 75ω@vgs = -2.5 v
高功率和电流处理能力
获得无铅产品
表面安装包
应用程序
pwm程序
负荷开关
包
sot-23-3l
订购信息
绝对最大额定值(除非另有说明，ta=25℃)
电特性(除非另有说明，ta=25℃)
注:
a.表面安装在fr4板上，t≤10秒
b.脉冲测试:脉宽≤300μs，占空比≤2%
c.设计保证，不经生产检验
热特性
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薄膜瑕疵检测仪器的工作原理及功能
UCC28056架构和突发模式
H桥双向直流电动机驱动电路
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NP2301AMR 20V p通道增强模式MOSFET
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