安森美半导体发布新的650V碳化硅 (SiC) MOSFET
优异的开关和更高的可靠性在各种挑战性应用中提高功率密度
2021年2月18日 —推动高能效创新的安森美半导体 （on semiconductor，美国纳斯达克上市代号：on），发布一系列新的碳化硅 （sic） mosfet器件，适用于功率密度、能效和可靠性攸关的高要求应用。设计人员用新的sic器件取代现有的硅开关技术，将在电动汽车（ev）车载充电器（obc）、太阳能逆变器、服务器电源（psu）、电信和不间断电源（ups）等应用中实现显著更好的性能。
安森美半导体新的车规aecq101和工业级合格的650伏（v） sic mosfet基于一种新的宽禁带材料，提供比硅更胜一筹的开关性能和更好的热性能，因而提高系统级能效、功率密度，及减小电磁干扰（emi）、系统尺寸和重量。
新一代sic mosfet采用新颖的有源单元设计，结合先进的薄晶圆技术，可在650 v击穿电压实现同类最佳的品质因数rsp （rdson * area）。nvbg015n065sc1、ntbg015n065sc1、nvh4l015n065sc1和nth4l015n065sc1采用d2pak7l和to247封装，具有市场最低的rdson （12 mohm）。 这技术还优化能量损失品质因数，从而优化了汽车和工业应用中的性能。 内置门极电阻 （rg）为设计人员提供更大的灵活性，而无需使用外部门极电阻人为地降低器件的速度。 更高的浪涌、雪崩能力和短路鲁棒性都有助于增强耐用性，从而提供更高的可靠性和更长的器件使用寿命。
安森美半导体先进电源分部高级副总裁asif jakwani在发布新品时说：“在现代电源应用中，如电动汽车（ev）车载充电器（obc）和可再生能源、企业计算及电信等其他应用， 高能效、可靠性和功率密度是设计人员一直面临的挑战。这些新的sic mosfet比同等的硅开关技术显著提高性能，使工程师能够满足这些具有挑战性的设计目标。 增强的性能降低损耗，从而提高能效，减少热管理需求，并降低电磁干扰（emi）。使用这些新的sic mosfet的最终结果是更小、更轻、更高效和更可靠的电源方案。”
新器件均为表面贴装，并提供行业标准封装类型，包括to247和d2pak。
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