SEPIC转换器的性能介绍
sepic 拥有诸多特性，从而使其比非隔离式反向结构更具吸引力。控制 mosfet 和输出整流器振铃可减少电磁干扰 (emi) 和电压应力。在许多情况下，这使您能够使用更低电压的部件，从而降低成本并提高效率。另外，多输出 sepic 可改善输出之间的交叉稳压，从而消除对于线性稳压器的需求。
图 1 显示的是一个 sepic 转换器，像反向转换器一样它具有最少的部件数量。实际上，如果去除 c1，该电路就是一个反向转换器。该电容可提供对其所连接半导体的电压钳位控制。当 mosfet 开启时，该电容通过 mosfet 对 d1 的反向电压进行钳位控制。当电源开关关闭时，在 d1 导电以前漏电压一直上升。在关闭期间，c1 通过 d1 和 c2 对 mosfet 漏电压进行钳位控制。具有多个输出端的 sepic 转换器对绕组比构成限制。其中的一个次级绕组对初级绕组的匝比需为 1:1，同时 c1 必须与之相连接。在图 1 所示的示例电路中，12-v 绕组的匝比为 1:1，但它可能已经使用了 5-v 绕组作为替代。
图1 多输出 sepic 转换器
图 1 所示电路已经构建完成，并经过测试。分别将其作为带 c1 的 sepic 和没有 c1 的反向转换器运行。图 2 显示了两种运行模式下的 mosfet 电压应力。在反向模式下，mosfet 漏极约为 40v，而在 sepic 模式下漏电压仅为 25v。因此，反向设计不得不使用一个 40-v 或 60-v mosfet，而 sepic 设计只需使用一个额定值仅为 30v 的 mosfet。另外，就 emi 滤波而言，高频率（5 mhz 以上）振铃将是一个严重的问题。
完成对两种电路的交叉稳压测量后，您会发现 sepic 大体上更佳。两种设计中，5 v 额定电压实际值为 5.05 v，负载在 0 到满负载之间变化，同时输入电压被设定为 12v 或 24v。sepic 的 12v 电压维持在 10% 稳压频带内，而反向转换器的 12v 电压则上升至 30v（高线压输入，12v 无负载，5v 全负载）。如果根据低电压应力选择功率部件，那么即使这两种结构的效率相同人们也会更倾向于使用 sepic。
图2 sepic 极大地降低了 emi 和电压应力。上图没有 c1，而下图则安装了 c1。
总之，对非隔离式电源而言，sepic 是一种重要的拓扑结构。它将 mosfet 电压应力钳位控制在一个等于输入电压加输出电压的值，并消除了反向转换器中的 emi。减少的电压应力允许使用更低电压的部件，从而带来更高效率和更低成本的电源。emi 的降低可以简化最终产品的合规测试。最后，如果配置为多输出电源，则其交叉稳压将优于反向转换器。
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图1 多输出 sepic 转换器
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图2 sepic 极大地降低了 emi 和电压应力。上图没有 c1，而下图则安装了 c1。
总之，对非隔离式电源而言，sepic 是一种重要的拓扑结构。它将 mosfet 电压应力钳位控制在一个等于输入电压加输出电压的值，并消除了反向转换器中的 emi。减少的电压应力允许使用更低电压的部件，从而带来更高效率和更低成本的电源。emi 的降低可以简化最终产品的合规测试。最后，如果配置为多输出电源，则其交叉稳压将优于反向转换器。
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