1Mb国产异步SRAM芯片EMI501HB08PM-55I特征
随着微电子技术的迅猛发展，sram存储器逐渐呈现出高集成度、快速及低功耗的发展趋势。在半导体存储器的发展中，sram由于其广泛的应用成为其中不可或缺的重要一员。
随机存储器最大的特点就是可以随时对它进行读写操作，但当电源断开时，存储信息便会消失。sram的数据存储方式是依靠一对反相器以闭环形式连接的存储电路，它的代码的读出是非破坏性的，并不需要相应的刷新电路，因此它的存取速度比dram要快。但是sram需要用更多的晶体管来存储一位的信息（采用六管单元或四管两电阻单元储存一位数据），因而其位密度比其它类型的低，造价也高。静态存储器多用于二级高速缓存。
介绍一款伟凌创芯（emi）1mbit国产异步低功耗sram芯片emi501hb08pm-55i，该产品采用emi先进的全cmos工艺技术制造。支持工业温度范围-40℃~85℃。emi501hb08pm-55i采用32sop芯片级封装，电源电压为4.5v~5.5v，以实现系统的用户灵活性设计。还支持低数据保留电压，用于以低数据保留电流进行电池备份操作。
特征
●工艺技术：90nm full cmos
●组织：128kx8bit
●电源电压：4.5v~5.5v
●三态输出，ttl兼容
●标准32sop
●工业操作温度
fqj
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