单片机中EEPROM和FLASH的区别是什么
1.eeprom介绍
electrically erasable programmable read only memory电气可拭除可编程只读存储器
发展过程：rom – 》 prom –》 eprom –》 eeprom
2.eeprom和flash的区别
2.1 使用上的区别
flash用于存放程序，在程序运行过程中不能更改。我们编写的程序是烧录到flash中的；
ram用作程序运行时的数据存储器；
eeprom用于存放数据，是用来保存掉电后用户不希望丢的数据，开机时用到的参数。运行过程中可以改变。
flash是用于存储程序代码的，有些场合也可能用它来保存数据，当然前提是该单片机的flash工艺是可以自写的（运行中可擦写），但要注意flash的擦写次数通常小于一万次，而且通常flash只能按块擦除。eeprom不能用来存程序，通常单片机的指令寻址不能到这个区域。eeprom的擦写次数应有百万次，而且可以按字节擦写。eeprom在一个page内是可以任意写的，flsah则必须先擦除成blank，然后再写入，而一般没有单字节擦除的功能，至少一个扇区擦除。
2.2 结构上的区别
eeprom和flash都是非易失性存储器。
flash的全称是flash eeprom，但跟常规eeprom的操作方法不同。
flash 和eeprom的最大区别是flash按扇区操作，eeprom则按字节操作，二者寻址方法不同，存储单元的结构也不同，flash的电路结构较简单，同样容量占芯片面积较小，成本自然比eeprom低，因而适合用作程序存储器，eeprom则更多的用作非易失的数据存储器。当然用flash做数据存储器也行，但操作比eeprom麻烦的多，所以更“人性化”的mcu设计会集成flash和eeprom两种非易失性存储器，而廉价型设计往往只有 flash，早期可电擦写型mcu则都是eeprm结构，现在已基本上停产了。
3.eeprom的使用方法
avrgcc里面自带有eeprom读写函数。
使用时需包含头文件#include ，部分读写函数如下：
#define eeprom_is_ready（） bit_is_clear（eecr， eewe）//检测eeprom是否准备好。ok返回1（返回eewe位）
#define eeprom_busy_wait（） do {} while （！eeprom_is_ready（））//等待eeprom操作完成
extern uint8_t eeprom_read_byte （const uint8_t *addr）;//读取指定地址的一个字节8bit的eeprom数据
extern uint16_t eeprom_read_word （const uint16_t *addr）;//读取指定地址的一个字16bit的eeprom数据
extern void eeprom_read_block （void *buf， const void *addr， size_t n）;//读取由指定地址开始的指定长度的eeprom数据
extern void eeprom_write_byte （uint8_t *addr， uint8_t val）;//向指定地址写入一个字节8bit的eeprom数据
extern void eeprom_write_word （uint16_t *addr， uint16_t val）;//向指定地址写入一个字16bit的eeprom数据
通过串口向单片机发送配置命令，单片机收到指令后，利用函数write_eeprom_config（）将相应的配置信息存放于eeprom中。系统初始化时，利用函数read_eeprom_config（）从eeprom中取出相应的数据，用于系统的初始化。
纵行科技ZETag汽车供应链物流可视化解决方案帮助客户降本增效
低压栅极驱动器的结构组成和工作过程
玻璃检测试验箱的介绍
2021年全球半导体行业并购案大盘点
基于深度学习的大豆种子全表面识别分选系统
单片机中EEPROM和FLASH的区别是什么
CAD中标注关联是什么？ 有什么用处？
华为P9、华为Mate9这两款旗舰做工很精致，颜值美到让三星都妒忌！
联通18日开启4G商用 三大运营商竞争愈加激烈
谁是 5G时代的顶级玩家?
关于电源时序管理的分析和介绍
UI设计师的10个常见错误，你是否中招了？
12v电瓶充电器使用方法
欧盟拟将统一充电器接口 Micro USB将成标准
TTL电平与RS232电平的区别
市场回暖？这类芯片即将涨价！
三星投放广告 宣传自己的三款新ATIV设备
新一代北斗三号信号体制的高精度导航定位芯片正式发布
现实中的开放源码云计算,第2部分:针对云进行开发
智慧能耗在线监测解决方案
electrically erasable programmable read only memory电气可拭除可编程只读存储器
发展过程：rom – 》 prom –》 eprom –》 eeprom
2.eeprom和flash的区别
2.1 使用上的区别
flash用于存放程序，在程序运行过程中不能更改。我们编写的程序是烧录到flash中的；
ram用作程序运行时的数据存储器；
eeprom用于存放数据，是用来保存掉电后用户不希望丢的数据，开机时用到的参数。运行过程中可以改变。
flash是用于存储程序代码的，有些场合也可能用它来保存数据，当然前提是该单片机的flash工艺是可以自写的（运行中可擦写），但要注意flash的擦写次数通常小于一万次，而且通常flash只能按块擦除。eeprom不能用来存程序，通常单片机的指令寻址不能到这个区域。eeprom的擦写次数应有百万次，而且可以按字节擦写。eeprom在一个page内是可以任意写的，flsah则必须先擦除成blank，然后再写入，而一般没有单字节擦除的功能，至少一个扇区擦除。
2.2 结构上的区别
eeprom和flash都是非易失性存储器。
flash的全称是flash eeprom，但跟常规eeprom的操作方法不同。
flash 和eeprom的最大区别是flash按扇区操作，eeprom则按字节操作，二者寻址方法不同，存储单元的结构也不同，flash的电路结构较简单，同样容量占芯片面积较小，成本自然比eeprom低，因而适合用作程序存储器，eeprom则更多的用作非易失的数据存储器。当然用flash做数据存储器也行，但操作比eeprom麻烦的多，所以更“人性化”的mcu设计会集成flash和eeprom两种非易失性存储器，而廉价型设计往往只有 flash，早期可电擦写型mcu则都是eeprm结构，现在已基本上停产了。
3.eeprom的使用方法
avrgcc里面自带有eeprom读写函数。
使用时需包含头文件#include ，部分读写函数如下：
#define eeprom_is_ready（） bit_is_clear（eecr， eewe）//检测eeprom是否准备好。ok返回1（返回eewe位）
#define eeprom_busy_wait（） do {} while （！eeprom_is_ready（））//等待eeprom操作完成
extern uint8_t eeprom_read_byte （const uint8_t *addr）;//读取指定地址的一个字节8bit的eeprom数据
extern uint16_t eeprom_read_word （const uint16_t *addr）;//读取指定地址的一个字16bit的eeprom数据
extern void eeprom_read_block （void *buf， const void *addr， size_t n）;//读取由指定地址开始的指定长度的eeprom数据
extern void eeprom_write_byte （uint8_t *addr， uint8_t val）;//向指定地址写入一个字节8bit的eeprom数据
extern void eeprom_write_word （uint16_t *addr， uint16_t val）;//向指定地址写入一个字16bit的eeprom数据
通过串口向单片机发送配置命令，单片机收到指令后，利用函数write_eeprom_config（）将相应的配置信息存放于eeprom中。系统初始化时，利用函数read_eeprom_config（）从eeprom中取出相应的数据，用于系统的初始化。
纵行科技ZETag汽车供应链物流可视化解决方案帮助客户降本增效
低压栅极驱动器的结构组成和工作过程
玻璃检测试验箱的介绍
2021年全球半导体行业并购案大盘点
基于深度学习的大豆种子全表面识别分选系统
单片机中EEPROM和FLASH的区别是什么
CAD中标注关联是什么？ 有什么用处？
华为P9、华为Mate9这两款旗舰做工很精致，颜值美到让三星都妒忌！
联通18日开启4G商用 三大运营商竞争愈加激烈
谁是 5G时代的顶级玩家?
关于电源时序管理的分析和介绍
UI设计师的10个常见错误，你是否中招了？
12v电瓶充电器使用方法
欧盟拟将统一充电器接口 Micro USB将成标准
TTL电平与RS232电平的区别
市场回暖？这类芯片即将涨价！
三星投放广告 宣传自己的三款新ATIV设备
新一代北斗三号信号体制的高精度导航定位芯片正式发布
现实中的开放源码云计算,第2部分:针对云进行开发
智慧能耗在线监测解决方案