学技术 | ST 具有两种增强型GaN HEMT的高功率密度集成600V半桥驱动器MASTERGAN4介绍
mastergan4介绍
st推出世界首款集成半桥驱动ic和一对氮化镓（gan）的mastergan产品平台。该解决方案可用于最高400w以下的一代消费性电子、工业充电器，以及电源转接器等。mastergan4是一款集成了栅极驱动器和两个半桥配置增强型gan功率晶体管的先进功率系统封装。集成功率gan具有650v漏源阻断电压和225mΩ的rds（on）, 而嵌入式栅极驱动器的高侧可以容易地由集成自举二极管提供,以及优化的栅极驱动器和电路保护功能，可简化高达200w的高能功率转换应用的设计。gan晶体开发性能出色，工作频率更高，能效更高，散热发热更少，设计人员可以选用尺寸更小的磁性元件和散热器，适用尺寸更小，更轻的电源，充电器和适配器。
作为st mastergan系列的最新产品，mastergan4解决了复杂的栅极控制及电路布局难题，简化了宽频gan功率半导体的应用设计，mastergan4的输入电压可以3.3v-15v, 可以直接连接到控制器，例如：霍尔效应感测器或微控制器、dsp处理器、fpga可程式设计等cmos ic。mastergan4非常适用于对称半桥拓朴及软开关拓朴：有源钳位反激和有源钳位正激变换器。
mastergan4在下部和上部驱动部分都具有uvlo保护，防止电源开关在低效或危险条件下运行，并且联锁功能避免了交叉导通情况。4.75v-9.5v的宽电源电压方便mastergan4连接到现有电源轨。内置保护功能包括栅极驱动器互锁、高低边欠压锁定(uvlo)以及过热保护，可进一步简化应用设计。还有一个专用的关断引脚。
mastergan4在-40°c至125°c的工业温度范围内工作，采用9mm x 9mm x 1mm gqfn封装，超过2mm的爬电距离确保在高压应用中的使用安全。
技术规格：
•集成半桥栅极驱动器和高压gan功率晶体管的600 v封装系统：
–qfn 9 x 9 x 1 mm封装
–rds（开启）=225mΩ
–ids（最大）=6.5 a
•反向电流能力
•零反向恢复损失
•低压侧和高压侧的uvlo保护
•内部自举二极管
•联锁功能
•停机功能专用引脚
•精确的内部计时匹配
•3.3 v至15 v兼容输入，具有滞后和下拉功能
•过热保护
•物料清单减少
•非常紧凑和简化的布局
•灵活、简单、快速的设计
可应用的范围：
•开关模式电源
•充电器和适配器
•高压pfc、dc-dc和dc-ac转换器
器件封装图：
管脚分布图：
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