NP6P02DR 20V p通道增强模式MOSFET
描述
np6p02dr采用了先进的沟槽技术
提供优良的rds(on)，低栅电荷和
工作电压低至1.8v。这
该器件适用于作为负载开关或pwm
应用程序。
一般特征
vds = -20v, id = -6a
rds(上)(typ) = 39 mω@vgs = -4.5 v
rds(上)(typ) = 58米ω@vgs = -2.5 v
高功率和电流处理能力
获得无铅产品
表面安装包
应用程序
pwm程序
负荷开关
包
dfn2 * 2-6l-b
订购信息
绝对最大额定值(除非另有说明，ta=25℃)
热阻评级
注:
电特性(除非另有说明，ta=25℃)
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