碳化硅MOSFET对比硅IGBT的优势
通过与si功率元器件的比较，来表示碳化硅mosfet的耐压范围。目前碳化硅mosfet有用的范围是耐压600v以上、特别是1kv以上。关于优势，现将1kv以上的产品与当前主流的硅igbt来比较一下看看。相对于igbt，碳化硅mosfet降低了开关关断时的损耗，实现了高频率工作，有助于应用的小型化。相对于同等耐压的sj-mosfet(超级结mosfet)，导通电阻较小，可减少相同导通电阻的芯片面积，并显著降低恢复损耗。
碳化硅mosfet对比硅igbt的优势
开关器件在运行过程中存在短路风险，配置合适的短路保护电路，可以有效减少开关器件在使用过程中因短路而造成的损坏。与硅igbt相比，碳化硅mosfet短路耐受时间更短。
1)硅igbt：
硅igbt的承受退保和短路的时间一般大于10μs，在设计硅igbt的短路保护电路时，建议将短路保护的检测延时和相应时间设置在5-8μs较为合适。
2)碳化硅mosfet
一般碳化硅mosfet模块短路承受能力小于5μs，要求短路保护在3μs以内起作用。采用二极管或电阻串检测短路，短路保护最短时间限制在1.5μs左右。
总之，相比于硅igbt，碳化硅mosfet在提升系统效率、功率密度和工作温度的同时，对于驱动器也提出了更高要求，为了让碳化硅mosfet更好的在系统中应用，需要给碳化硅mosfet匹配合适的驱动。
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