耗尽模式和增强模式MOS管是什么？有什么区别？
耗尽模式和增强模式mos管是什么
耗尽型mosfet：
耗尽型 mosfet 类似于开路开关。在此模式下，施加栅极到源极电压 （vgs） 以关闭器件。当栅极电压为负时，正电荷会在通道中累积。这会导致沟道中的耗尽区并阻止电流流动。因此，由于电流的流动受耗尽区形成的影响，所以称为耗尽型 mosfet。
增强型mosfet：
增强型 mosfet 类似于闭合开关。在此模式下，施加栅极-源极电压 （vgs） 以开启器件。当负电压施加到 mosfet 的栅极端时，携带正电荷的空穴在氧化层附近聚集，形成从源极到漏极的沟道。随着电压变得更负，通道宽度增加，电流增加；因此它被称为增强型mosfet。
耗尽模式和增强模式mos管的区别
1、工作原理不同
耗尽型：当vgs=0时即形成沟道，加上正确的vgs时，能使多数载流子流出沟道，因而“耗尽”了载流子，使管子转向截止。即：耗尽型mos管的vgs （栅极电压）可以用正、零负电压控制导通。
增强型：当vgs=0时管子是呈截止状态，加上正确的vgs后，多数载流子被吸引到栅极，从而“增强”了该区域的载流子，形成导电沟道。即：增强型mos管必须使得vgs》vgs （th） （栅极阈值电压）能导通。
2、结构不同
耗尽型：场效应管的源极和漏极在结构上是对称的，可以互换使用，耗尽型mos管的栅——源电压可正可负。因此，使用场效应管比晶体管灵活。
增强型：增强型的原始沟道较窄、掺杂浓度较低，使得在栅电压为0时沟道即被夹断，只有加上正栅偏压 （必须小于0.5v） 时才产生沟道而导电；输出伏安特性仍然为饱和特性。
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增强型mosfet：
增强型 mosfet 类似于闭合开关。在此模式下，施加栅极-源极电压 （vgs） 以开启器件。当负电压施加到 mosfet 的栅极端时，携带正电荷的空穴在氧化层附近聚集，形成从源极到漏极的沟道。随着电压变得更负，通道宽度增加，电流增加；因此它被称为增强型mosfet。
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1、工作原理不同
耗尽型：当vgs=0时即形成沟道，加上正确的vgs时，能使多数载流子流出沟道，因而“耗尽”了载流子，使管子转向截止。即：耗尽型mos管的vgs （栅极电压）可以用正、零负电压控制导通。
增强型：当vgs=0时管子是呈截止状态，加上正确的vgs后，多数载流子被吸引到栅极，从而“增强”了该区域的载流子，形成导电沟道。即：增强型mos管必须使得vgs》vgs （th） （栅极阈值电压）能导通。
2、结构不同
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增强型：增强型的原始沟道较窄、掺杂浓度较低，使得在栅电压为0时沟道即被夹断，只有加上正栅偏压 （必须小于0.5v） 时才产生沟道而导电；输出伏安特性仍然为饱和特性。
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