华为公开两项“芯片封装结构、其制备方法及终端设备”专利
华为技术有限公司最近新增了多项专利信息。其中两个专利名称是“芯片包装结构、制造方法及终端设备”，分别为cn116648780a和cn116670808a。
cn116648780a专利芯片封装结构的第一个，第二个芯片，第一个布线层和第二个布线层和垂直硅桥；其中第一芯片和垂直硅硅桥梁并排在第一中间配线设在楼，第二中间配线层是垂直硅桥梁和第一芯片，第二中间配线层设置，第一芯片第一双重连接到布线层，第二芯片第二双重连接在电线上。垂直硅桥有硅通孔，垂直硅桥为完成高密度线，在无源晶圆上准备了大量硅通孔，成熟的技术、稳定性和信赖性高，没有断裂或短路的危险。第二芯片通过第二层衬垫层、硅孔、第一层衬垫层和第一芯片的垂直相互连接，垂直硅桥内的硅孔大小可以与第二芯片的物理通道大小相匹配，实现高密度信号相互连接。
cn116670808a专利芯片包装结构如下。芯片的表面有多个导电的电路板，有多个颠倒孜上面放着多个凸块结构，多个凸块结构中的每一凸块结构中，金属层和金属层上放着一个或多个焊接盖，又包括多个凸块结构中至少一个凸块结构的金属层之上有设有多个焊接盖。申请实施例中提供的芯片结构中至少一个凸块结构的各种焊接金属层设置的帽子，芯片可以增加凸块结构按使用面积比率的玻璃制造过程分散在密封包装的凸块结构的半导体内部的压力也可能会进一步增加凸块结构的冷却能力和通电流的能力。
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cn116648780a专利芯片封装结构的第一个，第二个芯片，第一个布线层和第二个布线层和垂直硅桥；其中第一芯片和垂直硅硅桥梁并排在第一中间配线设在楼，第二中间配线层是垂直硅桥梁和第一芯片，第二中间配线层设置，第一芯片第一双重连接到布线层，第二芯片第二双重连接在电线上。垂直硅桥有硅通孔，垂直硅桥为完成高密度线，在无源晶圆上准备了大量硅通孔，成熟的技术、稳定性和信赖性高，没有断裂或短路的危险。第二芯片通过第二层衬垫层、硅孔、第一层衬垫层和第一芯片的垂直相互连接，垂直硅桥内的硅孔大小可以与第二芯片的物理通道大小相匹配，实现高密度信号相互连接。
cn116670808a专利芯片包装结构如下。芯片的表面有多个导电的电路板，有多个颠倒孜上面放着多个凸块结构，多个凸块结构中的每一凸块结构中，金属层和金属层上放着一个或多个焊接盖，又包括多个凸块结构中至少一个凸块结构的金属层之上有设有多个焊接盖。申请实施例中提供的芯片结构中至少一个凸块结构的各种焊接金属层设置的帽子，芯片可以增加凸块结构按使用面积比率的玻璃制造过程分散在密封包装的凸块结构的半导体内部的压力也可能会进一步增加凸块结构的冷却能力和通电流的能力。
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