多输入、多输出 (mimo) 收发器架构广泛用于高功率 rf 无线通信系统的设计。作为迈入 5g 时代的一步,覆盖蜂窝频段的大规模 mimo 系统目前正在城市地区进行部署,以满足用户对于高数据吞吐量和一系列新型业务的新兴需求。高度集成的单芯片射频收发器解决方案 (例如,adi 新推出的 adrv9008/adrv9009产品系列) 的面市促成了此项成就。在此类系统的 rf 前端部分仍然需要实现类似的集成,意在降低功耗 (以改善热管理) 和缩减尺寸(以降低成本),从而容纳更多的 mimo 通道。
mimo 架构允许放宽对放大器和开关等构建模块的 rf 功率要求。然而,随着并行收发器通道数目的增加,外围电路的复杂性和功耗也相应升高。adi 采用硅技术的新型高功率开关专为简化rf 前端设计而研发,免除外围电路的需要并将功耗降至可忽略不计的水平。adi 采用硅技术的新型高功率开关为 rf 设计人员和系统架构师提供了提高其系统复杂度的灵活性,且不会让 rf前端成为其设计瓶颈。
在时分双工 (tdd) 系统中,天线接口纳入了开关功能,以隔离和保护接收器输入免受发送信号功率的影响。该开关功能可直接在天线接口上使用 (在功率相对较低的系统中,如图 1 所示),或在接收路径中使用 (针对较高功率应用,如图 2 所示),以保证正确接至双工器。在开关输出上设有一个并联支路将有助改善隔离性能。
图 1. 天线开关。
图 2. lna 保护开关。
基于 pin 二极管的开关具备低插入损耗特性和高功率处理能力,一直是优选解决方案。然而,在大规模 mimo 系统的设计中,它们需要高偏置电压以施加反向偏置 (用于提供隔离) 和高电流以施加正向偏置 (用于实现低插入损耗),这就变成了缺点。图 3示出了一款用于基于 pin 二极管的开关及其外设的典型应用电路。三个分立的 pin 二极管通过其偏置电源电路施加偏置,并通过一个高电压接口电路进行控制。
图 3. pin 二极管开关。
adi 的新款高功率硅开关更适合大规模 mimo 设计。它们依靠单5 v 电源供电运行,偏置电流小于 1 ma,并且不需要外部组件或接口电路。图 4 中示出了内部电路架构。基于 fet 的电路可采用低偏置电流和低电源电压工作,因而将功耗拉低至可忽略的水平,并可在系统级上帮助热管理。除了易用性之外,该器件架构还可提供更好的隔离性能,因为在 rf 信号路径上纳入了更多的并联支路。
图 4. adrv9008/adrv9009 硅开关。
图 5 并排对比了单层 pcb 设计上基于 pin 二极管的开关和新型硅开关的印刷电路板 (pcb) 原图。与基于 pin 二极管的开关相比,硅开关所占用的 pcb 面积不到其 1/10。它简化了电源要求,且不需要高功率电阻器。
图 5. 基于 pin 二极管的开关设计与硅开关的并排比较。
adi 的高功率硅开关能够处理高达 80 w 的 rf 峰值功率,这足以满足大规模 mimo 系统的峰值平均功率比要求,并留有裕量。表 1列出了 adi 专为不同的功率级别和各种封装类型而优化的高功率硅开关系列。这些器件继承了硅技术的固有优势,而且与替代方案相比,可实现更好的 esd 坚固性和降低部件与部件间的差异。
产品型号 频率 插入损耗 隔离 平均功率 峰值功率 封装
adrf5130 0.7 ghz 至 3.5 ghz 0.6 db, 2.7 ghz
0.7 db, 3.8 ghz 45 db, 3.8 ghz 20 w 44 w 4 mm × 4 mm
adrf5132 0.7 ghz 至 5.0 ghz 0.60 db, 2.7 ghz
0.65 db, 3.8 ghz
0.90 db, 5.0 ghz 45 db, 3.8 ghz
45 db, 5.0 ghz 3.2 w 20 w, 3.8 ghz
10 w, 5.0 ghz 3 mm × 3 mm
adrf5160 0.7 ghz 至 4.0 ghz 0.8 db, 2.7 ghz
0.9 db, 3.8 ghz 48 db, 3.8 ghz 40 w 88 w 5 mm × 5 mm
大规模 mimo 系统将继续发展,并将需要进一步提高集成度。adi 的新型高功率硅开关技术很适合多芯片模块 (mcm) 设计,将lna 一起集成,以提供面向 tdd 接收器前端的完整、单芯片解决方案。另外,adi 还将调高新设计的频率,并将引领针对毫米波5g 系统的相似解决方案。随着adi 将其高功率硅开关产品系列扩展到了 x 波段频率和更高的常用频段,电路设计人员和系统架构师还将在其他应用 (例如相控阵系统) 中受益于 adi 新型硅开关。
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