碳和硅都这么优秀了,可是怎么还出了一个碳化硅(SiC)?

大自然特别奇妙,让元素周期表上的iv族元素的单质个个异常优秀——
iv族元素排首的碳(c),是生命必不可少的组成元素之一。此外,它的单质可以为火锅、烤肉提供温度,也可以是导热性能优良的第三代半导体;它可以是性能优良的石墨烯,但是摇身一变就成为坚贞爱情的见证;它柔弱,可以穿在身上,冬暖夏凉;它坚硬,能切割一切,所向披靡。
(来源:化学自习室网)
而iv族元素排第二的是硅(si),是地球上含量仅次于氧(o)的元素。主要存在于不起眼的小石头中,可变成单质就能让电子设备的体积越来越小,运算速率却大大提升;它把太阳能转化成电能,也铸成了半导体行业发展的里程碑。其晶体结构和金刚石相同。
碳和硅都这么优秀了,可是怎么还出了一个碳化硅(sic)???
一山更比一山高,碳化硅的出现绝非偶然,都是因为一个词——优秀!
其实,自然界也是存在天然sic矿石,而且非常罕见。它就是——莫桑石。
下面是宝石行业常用的参数:1⃣️火彩,莫桑的火彩是钻石的2.5倍;2⃣️色散值,钻石是0.044,莫桑是0.104;3⃣️折射率,钻石是2.417,莫桑是2.65。4⃣️莫氏硬度,钻石是10,硬度之王非它莫属,莫桑石是9.2-9.8,也远高于其它宝石。所以,相同条件加工后的莫桑石会比钻石更加”闪耀“。
但是,天然莫桑石非常稀少,稀少到仅出现在五万年前陨石坑内。所以有人说:天然莫桑石比起天然钻石更能代表爱情。
(来源:渠道网)
单单因为颜值,sic就能让相宁这么夸赞吗?非也,而是因为它也有优良的物理性能,这也是支撑它在工业生产、半导体行业等多个领域有一席之地的重要原因。
你可能没见过莫桑石,但你一定听说过金刚砂,这个类似“金刚石”的名称已经霸气侧露的表示出了它的硬度。常见的作为磨料、耐火材料的金刚砂分黑色和绿色两种。但是,这类金刚砂都是通过石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑等原料通过电阻炉高温冶炼而成的。纯的sic晶体是无色透明的,带有颜色是因为它们内部掺有一些杂质,纯度并非100%。
(来源:百度图库)
sic是c和si唯一稳定的化合物,也是一种共价化合物,有闪锌矿型(立方晶系,空间群f4-3m )和纤锌矿型(六方晶系,空间群pmc)两种结晶形式,200余种多型体,且不同结构材料之间的电学、光学等性能各不相同。
(来源:新浪博客)
sic是第三代半导体材料中应用最为成熟的材料之一。第三代半导体即宽禁带半导体,主要包含包含碳化硅、氮化镓、氮化铝、氧化锌、金刚石等(第一代半导体主要是si、ge等单质半导体材料;第二代半导体主要是指gaas、inp等化合物半导体材料)。sic的禁带宽度为si的2-3倍,导热率为si的4-5倍,击穿电压为si的8倍,电子饱和漂移速率为si的2倍。所以,sic特别适于制造高温、高频、抗辐射及高功率的器件。
目前,采用sic制备led照明设备的技术已经十分成熟,也已经开始应用于半导体激光器和探测器上。采用sic制成的发光二极管辐射波长可以覆盖绿光到紫光(400-550nm)波段,在光信息显示及光集成电路等领域中具有广阔的应用前景。
在市场上,sic光电子、功率和微波等三类器件也已经广泛使用,如pin二极管、肖特基二极管、mesfet、mosfet、晶闸管、sic基发光二极管等。这类电力电子器件就是利用了sic耐高温、高频、高压及高功率的优势。举个例子,si器件的最高工作温度大约200℃,可是sic器件在400℃的时候还能运转飞速。但是因为成本问题,sic电子器件主要在应用于军用飞机、舰艇等,目前民用市场还比较有限。
(来源:新材料产业)
有人说,我们对si的了解程度在“博士”水平,但是对于sic的了解就像是“小学生”。我们不禁心生疑问:
人类在1905年就在陨石中发现sic晶体了,1907年第一只sic晶体二极管就诞生了。已经一百多年过去了,sic在半导体领域的优势又那么多,可为什么对它仍知之甚少呢???
答案总结为一个字,那就是:少!
“物以稀为贵”是亘古不变的道理。自然界中的莫桑石稀少到根本没有开采价值,可遇不可求。更残酷的是,人造高纯度sic单晶的条件又十分苛刻,尤其是很难达到制作半导体光电器件的级别要求。
sic的熔点小于金刚石,大于si单晶。所以在si的制备条件下,sic是没有液相存在的。sic的制备条件要求:压力约1000pa、温度超过2000℃,理想的化学配比。故从商业角度考虑:sic单晶不可能像si单晶一样从熔体中提拉制备。
目前世界上常见的制备sic单晶的方法是籽晶升华法,又称物理气相传输法(pvt)。其原理是对准密闭的坩埚系统采用感应或电阻加热,将作为生长源的固态混合物置于温度较高的坩埚底部,籽晶固定在温度较低的坩埚顶部。在低压高温下,生长源升华且分解产生气态物质,生长源与籽晶之间存在温度梯度,因而会形成的压力梯度。这些气态物质会由此被输运到低温的籽晶位置,形成过饱和,籽晶开始长大。
(来源:2014·led配套材料产业发展交流对接会)
除了以上方法,常见的还有高温化学气象沉积法(htcvd)与液相法(lpe)两种,这两种方法的生长温度也需要1500-2500℃。但是相对于pvt法,这两种方法都还尚不成熟。下图为sic和si单晶生长条件的参数对比。
(来源:ctimes)
近两年,随着电动汽车和5g通讯技术的发展,能够承受高压、高频环境,导热性良好的sic器件又得到了重视,开始快速发展。国内,低功耗的碳化硅器件也已经从实验室进入了实用器件的生产阶段。但是相比来说,碳化硅晶圆的价格还是比较高,其缺陷也多,所以其应用市场距离像si器件一样广泛成熟还需要一定的时间。
不过,希望还是很大的,“预言宁”感觉那天似乎就在不远处。

富昌电子扩展与瑞萨电子的全线分销协议至中国区
慈善项目的信任问题区块链可以解决吗
如何看汽车油耗,应该怎么算
MAX232CSE网上最新报价
智领未来 智慧产业园区3D可视化服务云平台
碳和硅都这么优秀了,可是怎么还出了一个碳化硅(SiC)?
司法行政行业终端面临多重挑战,鼎桥定制安全终端四大优势保驾护航
苹果计划短期内推进电动汽车生产计划
安富利和MedIoTek Health Systems联手营销VinCense 远程患者监护系统
什么是巴特沃斯滤波器_巴特沃斯滤波器主要参数介绍
靓蓝航空成功接收了3架A321neo飞机和一架A320neo飞机
行业 | 机器视觉迎来黄金发展时期,企业怎么才能制造优势
我国电动两轮车的出口数量逐年增长,出口规模达27.15亿美元
邀您来观展!扬兴科技亮相2022深圳国际电子展
如何应对新冠疫情让球迷重返英超联赛,AI将成关键手段
什么是JAVA
旋翼式热水表的维护说明
紧急提醒:使用微信支付千万不要透露这串数字!马上告诉家里人
荣耀V40续航测试结果公布
安装在汽车里的iPad