全球最低功耗相变存储器：比主流产品低1000倍
华中科技大学成功研制全球最低功耗相变存储器：比主流产品1000倍
来源：芯智讯
1月20日，从华中科技大学集成电路学院获悉，该学院团队研制出全世界功耗最低的相变存储器，比主流产品功耗低了1000倍。
据了解，在新型存储器中，相变存储器（pcm）是与cmos工艺最兼容，技术最成熟的存储技术。
2015年，intel和micron推出了傲腾三维相变存储芯片，速度和寿命比固态闪存硬盘要快一千倍，其三维堆叠技术也使容量高出了十倍。
然而，由于在相变过程中需要将存储介质熔化冷却，导致相变存储器的功耗极高且发热严重，限制了存储容量的进一步提高，也大大增加了其制造成本。
因此，降低相变存储器的功耗将便于进一步提升存储器数据密度，提高其在半导体存储市场核心竞争力，此外降低功耗可以改善存储器散热问题，减少相邻单元间的热串扰，从而提高器件稳定性和整体性能。
目前最先进的几十纳米制程的单个相变存储单元擦写功耗达到了40pj左右，而实验室制备的百纳米大小的器件功耗达到1000pj以上。
为了解决相变存储器中高功耗的瓶颈问题，华中科技大学集成电路学院信息存储材料及器件研究所（ismd）联合西安交通大学材料创新设计中心（caid）研发了一种网状非晶结构的相变存储器，功耗达到了0.05pj以下，比主流产品功耗低了一千倍。
除了低功耗以外，该相变存储器拥有一致性好且寿命长的优点。
来源：华中科技大学
封面图片来源：芯智讯
免责声明：该文章系转载，登载该文章目的为更广泛的传递市场信息，文章内容仅供参考。
如有内容图片侵权或者其他问题，请联系半导体芯科技进行删除。
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除了低功耗以外，该相变存储器拥有一致性好且寿命长的优点。
来源：华中科技大学
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