美光即将量产第四代3D NAND存储器 层数达到128层
美光在二季度财报电话会议上透露，该公司即将开始基于全新 rg 架构的第四代 3d nand 存储器的量产工作。按照计划，美光将于 2020 q3 采集开始生产，并于 q4 像商业客户发货。作为这家硬件制造商的一次重大技术转型，第四代 3d nand 存储器的层数达到了 128 层。
资料图（来自：micron）
此外，作为美光长期技术演进计划的核心，该公司将用替换门（rg）技术来取代与英特尔合作时期使用了多年的传统浮栅技术。
美光拥有 rg 技术的完整设计，且希望本次技术转型能够减小管芯尺寸、降低成本、提高性能，以及更轻松地过渡到更多层的下一代节点。
尽管量产工作宜早不宜迟，但美光向也投资者指出，该公司不会在今年内全面转向基于 rg 架构的 3d nand 技术，毕竟早期良率还有继续提升的空间。
美光称，其计划在 2020 q4 财季（今夏）开始出货 128 层 rg 架构的 3d nand 闪存产品。
首席执行官 sanjay mehrotra 补充道：“我们在向 rg 技术过渡方面取得了重大进展，预计到 2020 年末，它将成为公司 nand 总供应量的重要组成部分”。
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