如何实现更高的系统效率——第二部分：高速栅极驱动器
在此系列的第一部分中，讨论过高电流栅极驱动器如何帮助系统实现更高的效率。高速栅极驱动器也可以实现相同的效果。
高速栅极驱动器可以通过降低fet的体二极管功耗来提高效率。体二极管是寄生二极管，大多数类型的fet固有。它由p-n结点形成并且位于漏极和源极之间。图1所示为典型mosfet电路符号中表示的体二极管。
图1：mosfet符号包括固有的体二极管
限制体二极管的导通时间将进而降低其两端所消耗的功率。这是因为当mosfet处于导通状态时，体二极管上的压降通常高于mosfet两端的电压。对于相同的电流水平，p = i×v（其中p是功耗，i是电流，v是电压降），通过mosfet通道的传导损耗显著低于通过体二极管的传导损耗。
这些概念在电力电子电路的同步整流中发挥作用。同步整流通过用诸如功率mosfet的有源控制器件代替二极管来提高电路的效率。减少体二极管导通可以使这种技术的优点最大化。
下面考虑同步降压转换器的情况。当高侧fet关断并且电感器中仍然存在电流时，低侧fet的体二极管变为正向偏置。死区时间短对避免直通很有必要。在此之后，低侧fet导通并开始通过其通道导通。相同的原理适用于通常在dc / dc电源和电动机驱动设计中发现的其它同步半桥配置。
对于高速接通，栅极驱动器的一个重要参数是导通传播延迟。这是在栅极驱动器的输入端施加信号到输出开始变高时的时间。这种情况如图2所示。当fet重新导通时，体二极管将关断。快速的导通传播延迟可以更快地导通fet，从而最小化体二极管的导通时间，进而使损耗最小化。
图2：时间示意图，t_pdlh是导通传播延迟
ti的产品组合包括具有行业领先的高速导通传播延迟的栅极驱动器。参见表1。
表1：高速驱动器
系统效率是一个团队努力的结果。本博客系列介绍了高速和高电流栅极驱动器是关键件。立即访问www.ti.com/gatedrivers开始设计您的高效系统。
其他信息 · ti designs参考设计库中展示了高效率系统中的高速栅极驱动器：
· “隔离gan驱动器参考设计”。
· “用于电信的1 kw三路隔离dc / dc数字电源（-8v @ .25a）”。
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限制体二极管的导通时间将进而降低其两端所消耗的功率。这是因为当mosfet处于导通状态时，体二极管上的压降通常高于mosfet两端的电压。对于相同的电流水平，p = i×v（其中p是功耗，i是电流，v是电压降），通过mosfet通道的传导损耗显著低于通过体二极管的传导损耗。
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图2：时间示意图，t_pdlh是导通传播延迟
ti的产品组合包括具有行业领先的高速导通传播延迟的栅极驱动器。参见表1。
表1：高速驱动器
系统效率是一个团队努力的结果。本博客系列介绍了高速和高电流栅极驱动器是关键件。立即访问www.ti.com/gatedrivers开始设计您的高效系统。
其他信息 · ti designs参考设计库中展示了高效率系统中的高速栅极驱动器：
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