什么是mosfet的正向偏置安全工作区、开关安全工作区和转换安全工作区？
1、正向偏置安全工作区
正向偏置安全工作区，如图4所示。它是由最大漏源电压极限线i、最大漏极电流极限线ⅱ、漏源通态电阻线ⅲ和最大功耗限制线ⅳ，4条边界极限所包围的区域。图中示出了4种情况：直流dc，脉宽10ms，1ms,10μs。它与gtr安全工作区比有2个明显的区别：①因无二次击穿问题，所以不存在二次击穿功率psb限制线；②因为它通态电阻较大，导通功耗也较大，所以不仅受最大漏极电流的限制，而且还受通态电阻的限制。
2、开关安全工作区
开关安全工作区为器件工作的极限范围，如图5所示。它是由最大峰值电流idm、最小漏极击穿电压buds和最大结温tjm决定的，超出该区域，器件将损坏。
3、转换安全工作区
因电力场效应管工作频率高，经常处于转换过程中，而器件中又存在寄生等效二极管，它影响到管子的转换问题。为限制寄生二极管的反向恢复电荷的数值，有时还需定义转换安全工作区。
器件在实际应用中，安全工作区应留有一定的富裕度。
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