晶体振荡器基础知识-术语

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共振频率
在晶体谐振器的共振特性中,共振频率是两点阻抗变为电阻时的较低频率点。
图. 晶体谐振器共振特性
阻抗z变为电阻元件时,两点之间的频率。在这两点上,相为0。其中频率较低的点称为共振频率。另外一个点称为反共振频率。
2
等效电路
下图所示的是由电阻、电感和电容组成的晶体谐振器的共振特性。r1在等效电路中称为等效串联电阻,是晶体谐振器的重要特性。
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等效串联电阻 (r1)
晶体谐振器等效电路串联支路中的电阻。
4
负载电容 (cs)
让晶体谐振器具有负载共振频率的电容。在实际振荡电路中,连接晶体谐振器的实际电容是由外部负载电容、ic杂散和pcb等产生的。也可用下述公式进行计算:
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负载共振频率 (fl)
负载共振频率是晶体谐振器中负载电容串联的共振频率,这一频率比共振频率高。由于实际值与晶体谐振器规范中额定值之间的电容差,所以实际和额定振荡频率间存在频差。
也可用下述公式进行计算:
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拉敏性
上面的图显示了负载电容变化产生的负载共振频率 (fl) 偏移。此图中每个点的斜率就是拉敏性。参见下面的图。在负载电容为6pf时,拉敏性是-17ppm/pf。(负载电容变化1pf时,频移为17ppm)。也可用下述公式进行计算:
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导纳圆
下图是在导纳平面坐标 (电导—电纳) 上绘制的晶体谐振器共振特征。由于画成了圆形,因此称为导纳圆。在频率低于共振频率时,导纳靠近原点。在频率增加时,导纳按顺时针方向画圆。
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振荡裕量
即振荡停止的裕量,这也是振荡电路中最重要的术语。振荡裕量取决于组成振荡电路的元件 (晶体谐振器、mcu、电容器以及电阻器) 。村田推荐维持5倍或更大的振荡裕量。更详细内容请关注本系列讲座第二讲。
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负阻 (-r)
负阻是用阻抗表示的振荡电路信号放大能力。由于其作用与电阻相反,所以是负值。负阻较高值小说明振荡电路的放大能力低。振荡电路中的负阻取决于cmos逆变器的特性、反馈电阻、阻尼电阻和外部负载电容。
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驱动功率
驱动功率是指振荡电路中晶体谐振器的功耗。它不仅取决于晶体谐振器的等效串联电阻,还取决于组成振荡电路的元件 (mcu、电容和电阻) 。在驱动功率超额时,频率—时间性能会出现不正常特性。在设计振荡电路时,最好检查一下驱动功率。
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c-mos逆变器
c-mos是互补mos,组成了相互连接的p和n型mosfet。在下图中起到逆变器 (逻辑逆变电路not) 的作用。
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振荡电路
在装有c-mos逆变器或晶体管的放大电路中,所谓的“振荡电路”就是将输出连接到输入,以便持续放大反馈。只有通过晶体谐振器反馈才能选择并放大共振频率的信号。
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