global foundries在上海召开了2011年全球技术论坛(gtc 2011), global foundries官方已启用正式中文名字为格罗方德半导体,该公司全球ceo ajit manocha在会上表示,在28纳米制程上已经有客户投产,其余客户处于规格测试阶段,预期2012年可望大规模量产。与台积电今年底量产28纳米制程相较,双方差距已经不到一年。格罗方德半导体成立之后,瞬间挤身全球第三大晶圆代工厂,与联电的市占率差距在5%以内,在28纳米的先进制程上更是紧追台积电,格罗方德半导体此次举行成立以来第二届的技术论坛,规模更甚以往,除ceo ajit manocha以外,研发资深副总裁gregg bartlett、设计实行部门资深副总裁mojy chian、新加坡总经理raj kumar等所有高层皆出席并发表公司合作发展策略与对外宣布公司2012先进制程布局规划。
面对欧美债务信用问题席卷全球,全球总体经济出现放缓趋势,格罗方德半导体虽然在先进制程上维持满载,但是该公司也透露,在主流制程上出现需求疲软的状况。公司ceo ajit manocha在论坛上表示,“观察到这一轮终端市场成长的放缓,但公司的愿景以及对顾客的承诺和资本支出都不会改变,特别是公司观察到主流技术65纳米以上的市场趋缓,先进技术制程却仍供不应求”。格罗方德在每年1月会公布当年度的资本支出,今年该公司原定的资本支出达54亿美元,较去年度的27亿美元大幅成长一倍之多,也连续两年大幅度超出联电资本支出。由于全球经济疲软以及市场需求不明等因素,当前的半导体代工行业应该说风险不小。不过从上世纪80年代至今,半导体行业已经由150亿美元的规模发展到3140亿美元的规模了,而且预计未来还将继续增长,因为全世界正趋向引入越来越多的互连设备。格罗方德公司市场营销部门副总裁jim kupec则提到,今天的市场对于新设备最大的推动力往往来自年轻人,虽然这可能并非全部的事实,但是目前确实越来越多的产品是针对年轻人市场的。
这就是说,格罗方德并不打算完全地放慢其投资脚步,因为该公司正忙于在所有旗下的设施进行投资。就目前的情况而言,格罗方德公司的纽约工厂已经提前两个月进入了“设备准备”阶段,而今年之内该公司应该可以在纽约进行试生产,当然在明年年初之前此工厂全面投产的可能性不大。另外在德国的fab 1工厂今年早些时候也已经开始量产32纳米的amd处理器芯片,同时其还在进行28纳米量产测试,预计在不远的将来格罗方德的fab 1工厂将可以过渡到28纳米制造工艺。在新加坡的fab 7工厂,目前格罗方德已经完成了升级,并且可以生产40纳米到65纳米的半导体芯片,并且最终该工厂还将进入到300mm晶圆领域。
当然整个行业更关心的是格罗方德的未来技术路线图。到2012年,格罗方德预计将开始量产其28纳米产品,甚至还可以初期量产部分20纳米产品,而20纳米的初期量产应该会在美国的fab 8工厂。更进一步至明年上半年,格罗方德预计将提升fab 1,fab 7以及fab 8等工厂的产能,因为该公司预计所谓领先尖端技术(65纳米及其以下)领域的需求将会增长,而这也是格罗方德希望获得70%营收比例的一个领域。
格罗方德还解决了其高k金属栅极制造工艺技术领域的一些问题,此前一些外行观察者曾一直死抓这一点不放。目前格罗方德已经生产出了2ghz主频的arm cortex-a9测试芯片,该芯片采用了其28纳米slp技术,并且在28纳米hpp制程下,该处理器甚至可以达到3ghz主频。除此之外,amd的a系列fusion处理器也在采用格罗方德的hkmg制造工艺,而且尽管有所延期,但是目前该系列产品已经实现量产,当然由于与amd之间的一些保密协议,格罗方德并未透露更多详情。至少在未来的12个月时间里,所有amd未来推出的处理器产品都将基于格罗方德的32纳米hkmg制造工艺,其中包括即将推出的fx系列以及amd的下一代a系列apu处理器。
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