国芯思辰｜基本半导体碳化硅肖特基二极管B2D10065Q用于升压电源模块
在升压电源模块中，会用到肖特基二极管，但常规硅二极管一般耐压低、损耗大。要想实现更高的380v电压，硅二极管就不是很合适了。本文主要提到国产厂家基本半导体的碳化硅肖特基二极管b2d10065q。
升压原理的基本电路如下图所示，肖特基二极管应用位置已标注：
b2d10065q应用于28v升压到380v的升压电路中的主要特点如下：
（1）耐压高
b2d10065q的反向耐压650v，在380v的直流升压系统中有足够余量应对。
（2）损耗小
b2d10065q的正向压降为1.29v，在380v时，损耗只有0.34%，进一步提高升压电源模块的效率。
（3）体积小
电源模块一般封装很小，需要的元器件也要尽量小体积，b2d10065qdfn8*8贴片封装，在保证良好散热的情况下，减小体积以及布线面积，保证了电源模块的小型化。
（4）可靠性高
电源模块作为一个系统的“动力之源”，是电子产品最核心的部件，所以对可靠性要求更高。b2d10065q可以在-55℃~175℃，满足电源模块高温工作环境要求。
（5）兼容性强
b2d10065q可替代完美英飞凌的idl10g65c5、意法半导体的stpsc10065dlf以及安森美的ffsm1065a。
综上，基本半导体的碳化硅肖特基二极管b2d10065q，具备耐压高、损耗小、体积小、可靠性高的特点，能够满足28v升压到380v的电源模块设计需要。
注：如涉及作品版权问题，请联系删除。
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（3）体积小
电源模块一般封装很小，需要的元器件也要尽量小体积，b2d10065qdfn8*8贴片封装，在保证良好散热的情况下，减小体积以及布线面积，保证了电源模块的小型化。
（4）可靠性高
电源模块作为一个系统的“动力之源”，是电子产品最核心的部件，所以对可靠性要求更高。b2d10065q可以在-55℃~175℃，满足电源模块高温工作环境要求。
（5）兼容性强
b2d10065q可替代完美英飞凌的idl10g65c5、意法半导体的stpsc10065dlf以及安森美的ffsm1065a。
综上，基本半导体的碳化硅肖特基二极管b2d10065q，具备耐压高、损耗小、体积小、可靠性高的特点，能够满足28v升压到380v的电源模块设计需要。
注：如涉及作品版权问题，请联系删除。
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