NP2301BVR 20V p通道增强模式MOSFET
描述
一般特征
np2301bvr采用先进的战壕
技术提供优良的rds(on)，低栅
在极低电压的情况下进行充电和操作
1.8 v。本装置适用于作为负载开关或
在pwm的应用程序。
vds = -20 v, id
r
= -2.4
r
ds(on)(typ.)= 86mω @vgs =-4.5v
ds(上)(typ) = 110ω@vgs
高功率和电流处理能力
= -2.5 v
获得无铅产品
表面安装包
应用程序
pwm程序
负荷开关
包
sot-23
订购信息
绝对最大额定值(除非另有说明，ta=25℃)
电特性(除非另有说明，ta=25℃)
注:
a.表面安装在fr4板上，t≤10秒
b.脉冲测试:脉宽≤300μs，占空比≤2%
c.设计保证，不经生产检验
热特性
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NP2301BVR 20V p通道增强模式MOSFET
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