关于射频的问答总结
欢迎对本期的精彩回答投票，我们将对最精彩的回答送上小小的礼物。以表示对作者无私技术奉献的感谢。
本文中回答均由各位射频从业者们自发讨论回复，回答之中不免有错误疏漏，也欢迎大家批评指正。
本期的问答总结如下，请射频从业者们查阅。这期中的问答哪个是您心目中最精彩的呢？
01有关pa放大后噪声恶化问题
q：我想问一个噪声恶化问题，之前做pa在放大一个单音信号，从频谱仪上看，间隔基波几十兆的频率会有一个小山坡（鼓包）一样的杂波，rbw改小以后发现并不是单音杂散，有点类似于底噪恶化，不是外部电源引入的，调整匹配也无法消除。这种间隔基波的底噪恶化是什么原因呀？类似于红色曲线这样的呈现。
a：不加激励，或者输入接负载会怎么样？你觉得有弱自激吗？
q：看不到。
a：可以看一下栅极的电压的波形，尤其是纹波，是否有同频信号。
q：当时我电源都外供过，确认过没有。另外，修改链路匹配，这个底噪恶化的频率会偏移，不固定的。
a：或者换个频点再看一下，看看跟单音的间距变不变？另外可以变换输入功率，看看鼓包幅度有没有变化。
a：加不加上盖板 贴不贴吸波材料有变化吗？
a：如果是固定的几十兆一般有可能是电源带进来的，电源或者地不干净都有可能。
q：频带内都有，当时我是固定输入激励幅度，增大vg来提高增益推大功率，功率越大幅度越高。几十兆会根据匹配电路改变而出现频率偏移。我还查了不同频段的应用，发现都有这个问题，但是我当时做的那个就特别高。我也有看过布局电源走线，因为其他板子的应用同样有问题，不倾向于电源走线。不上盖板也一样有这个底噪恶化。
a：一般底噪恶化是整体抬高。
q：最终我的解决办法是：在小信号输入那里将一个串联的耦合电容改到了非常小 2-3pf，然后这底噪恶化就降低下来了。指标虽然过了认证，但无法消除，但是原因我也没确认下来。
a：你有看过你的s11差吗？
q：小信号的s11看了我觉得没有意义，我当时那个应用是偏b与ab类的应用，是通过调栅压来使得功率增大的，增益会出现扩张。
a：图中定义的杂散，大家觉得随频谱仪rbw改变会变还是不变那种？
q：频率应该是不变的。
a：我也遇到过类似的，是不是没个芯片鼓包的位置还不完全一致，之前发现电源上有一个噪声包。
q：我当时看了那个方案的应用，各频段应用的板子都会有鼓包，频率不一样，因为有些板子幅度比较低，就一直没有关注到。我外供了所有电源还是有。你那个现象最终是定位到电源噪声包对吧？
a：我们发现低频电源噪声变频到pa发射的边带。
02有关电容q值仿真的问题
q：想问一下，大家仿真时看电容的q值时怎么看的，是当作单端口处理么，另外一端接地来计算么？还是当作两端口，另外一端接50欧到地？
a：这俩看的结果有啥区别吗？
q：有区别，电容等效电路不一样，算出来就不一样。
a：q 本身在复杂的网络里面就没有很严格的定义，最严格的是从能量损耗的角度，就你说的情况，一个叫元件的 unloaded q, 一个叫 loaded q， 后者在匹配网络里面通常认为跟带宽反比，但其实在高阶网络里面可能已经不成立。
a：有载网络q和无载网络q书上有讲，有载q跟整个网络所有节点q值都相关，但是到了有源器件，这个就太复杂了。
书上定义是存储的能量与消耗的能量比值是有载q。无源网络的带宽由节点q值较大处决定。
03有关5m8rb线性度较差问题
q：请教一下，有个b40 aclr的问题，3.8v供电10m full rb或者5m full rb下，e_utra和utra1都有-40以下，3.4v供电(未做apt)5m full rb状态下utra1也仍然能保持在-40左右。
但是如果切成prb（8rb），start rb选high，右边的+utra1就只有-34.5左右了，离3gpp标准只剩2db左右的余量，看了低中高三个信道都有这个现象，还有就是如果把rb总数改成4或者2或者＞8的时候，都要比rb数是8的时候好很多，请问有谁知道这个要怎么优化呢？
q：目前优化过pain和 loadpull位置的匹配都改善不大，也试过调bias也无明显效果，就降功率还能稍微有点提升，不知道怎么解了，求大神指导。
a：建议还是把pa取下来，焊接猪尾巴，看看负载阻抗点，和pa厂家提供的load pull曲线对比看看。
q：看过loadpull，就有50ohm附近，跟推荐的差别不大，现在full. rb三个信道aclr都是很好的，之前prb的utra1有问题。
a：饱和功率有多少？
q：饱和功率能到27dbm，寄存器用的厂商提供的，没作修改就有这个问题。
a：那应该是芯片本身问题，估计是芯片里面的pa和baw filter调试问题。实在不行就分开片子，一级一级测找问题。
a：降功率有用，那试试提高vcc，如果也有用的话就是pa饱和功率不够。
q：没做apt呢，提vcc没用，固定3.4v的电压了。
a：强发状态下改改呢？
q：强发功率可以发得高，电压我都是选3.4v发的，这个倒是可以试下，虽然非信令强发的不一定很准，不过也能看看趋势，多谢。
a：我的意思是强发，通过修改rgi控制输出功率还是22.9左右，然后手动把vcc提高，看看aclr是否有改善。
q：嗯，我知道，不过有个问题就是就算是vcc有影响，也没法改善啊，正常来说做了apt，抬vcc肯定是能优化的，而且还得考虑功耗是否达标。
a：如果回退功率和提高vcc都有用，说明pa的p-3不够，就应该调pa的loadpull，往功率点去拉了。这样必定是会牺牲功耗。
q：能提就好了，就是我这个目前没做apt，vcc电压是固定3.4v的，校准的时候把vcc修改提升了也没效果。还有一个就是，如果是loadpull在的位置增益不够高的原因的话，是可以往增益高的位置去拉，但是很奇怪的是5m只有prb（#rb=8）是最差的，但是#rb=2 #rb=4的时候，aclr都要好很多，而且rb数是2和4的时候功率跟8的时候也都是差不多的，23dbm左右。非信令强发提高pa bias(vcc)aclr没改善，应该跟我们产品没做apt，锁死vcc供电电压（3.4v）有关。
a：不同带宽和rb下看到的线性度有不同是正常现象，详细分析可以参考问答群第4期的问题7：如果是frb的话，不考虑记忆效应（通常在20m带宽内记忆效应不明显），不同带宽测出来的eutra aclr结果差别不大，因为这个是积分带宽和offset在比值上是一样的。
你说的小带宽的aclr变差，应该说的是utra-1.6/5m的aclr，这个原因在于utra aclr定义的邻道到主信道的offset和主信道的带宽是相关的，但积分带宽是不变的，当主信道带宽变大（rballocation不变），utra积分channel就会因为offset变大而远离主信道，积分到的邻道能量就越小，导致体现到aclr是变好的。比如对于1.4m和5m的信号，同样是测e-utra/utra这些信号，带外积分不一样，得到的aclr就会不同。5m8rb的margin确实会小。
点击图片跳转至第四期问答
不过5m8rb的utra和5m full rb的margin上差3~4dbc，绝对值上差2dbc左右比较合理，你的值上看绝对值差了7dbc确实有些多了。可以检查有没有其他问题。比如：
1. 检查5m8rb的左边和右边，以及高中低频点看是否一样，排除是否是滤波器影响；
2. 找pa厂商提供evb上5m8rb与5m full rb的测试结果，看是否pa特性即是如此；
3. 小功率查看不同波形区别，如果小功率也区别明显，则可能是rfic的问题。
04有关lna自激问题
q：网分看到的，这个是自激吗？
a：这是pa？增益怎么负的？关注下电流是不是异常偏大。
q：是lna，现在发现需要借助网分的smooth功能对s参数优化。
a：s21有异常尖峰凸起，代表测这个点时2端口接收到了明显的信号。有可能是自激震荡了，但也有可能是这个频点有额外的干扰信号，造成2端口接收到的信号能量变大，计算s21变大。
要确认是否是自激震荡还需要做些实验，最好用频谱仪来观察看是否有杂波频谱。网分看到的是小信号s参数，信息不够直接。
05有关signal studio里配置问题
q：问下有用过nr的软件吗？下图这里对应不同config区别是啥？
a：一直准备用89600，没有license，应该是配置一些上下行时隙配比和数据帧格式吧。
a：这个不是89601，是signal studio，这三种提供了标准的配置。frc在3gpp附录里面有规定配置。
q：嗯嗯 搞定了 里面定义不同rb配置生成以及调制阶数。
06有关smith圆图问题
q：请问哪本书有讲smith圆图讲得比较详细吗？
a：b站有教学视频，smith圆图怎么从直角坐标变换为极坐标，并且为什么换算完后是一个圆
q：好，我去搜搜看。
07有关rf crossovers器件
q：请问rf crossovers这种器件做什么用的？
a：波束赋型，有种巴特勒矩阵上有用。
08有关滤波器群延时的问题
q：请问群延时有没有计算公式，怎么算出来多少ns ，多少ns 会有影响？
a：group delay=-dh(jw)/dw。
q：这个公式我知道，比如滤波器有些群延时比较大，有些小。大的抖动厉害不好，ofdm子载波 通过滤波器 多大会有影响，比如baw通用就是20ns附近。
a：换成相位误差，用evm的公式可以大致算。
09有关微带线的击穿问题
q：第十四期问题5里有提到：”击穿有两种，电压击穿和电流击穿“。可以指教一下什么是微带线的电流击穿吗，我找了很多资料都只说了电压击穿。
点击图片跳转至第十四期问答
a：应该说的是失效模式。
q：微带线有电流击穿这个说法吗，有个朋友非说有，给我整蒙了。
q：他的意思是用线宽的通直流能力去衡量射频信号的等效电流，等效电流应小于微带线通直流能力。我查到的资料是微带线只有电压击穿，也就是介质击穿，用这个值算的话，功率容量很大的。
a：电压击穿一般是介质击穿，介质击穿的电压是很大的。而对于射频电流或者直流电流，我一般是考虑其等效均值电流。
a：所有的击穿可以分为两种，一种是电压击穿，一种是电流击穿，这个分界线也比较模糊，电压击穿可以理解为全开路状态，电流击穿可以认为是短路状态，中间的状态我们可以不管它，因为也可能两种击穿是存在；电流击穿最直观的现象就是过热，因为微带线也是有电阻的；电压击穿有一种情况，就是微带线和旁边的低距离很近（或者微带线拐弯儿处有尖角）这种会因为高压的存在导致有点火花存在，今儿烧坏。
对于微带线而言，考虑电流的情况为大多数，如上面老兄所属，介质的击穿电压非常高。
q：好的，感谢答疑，考虑电流，就是考虑其等效电流吗？
a：对，因为热是没有瞬间一说，或者说温升是一个时间积累的过程，所以瞬时电流没有意义，需要靠等效电流，即一段时间内的电流平均值。
q：好的，清楚了，感谢。
10有关pa bonding线寄生电感影响
q：请问一下大家，就是bonding线的电感导致pa的power高频下降很严重，是6g 频段cmos工艺，有什么好的方法解决呢？
a：这里的bonding线是rf输出的还是电源地上的呢?
a：不是wifi的，bonding线是电源端，多大的交流电流?
q：100ma左右。
a：把die的位置挪一下，缩短点，或者多打几根线。
q：好的。
11有关buck电源不稳定问题
q：请教各位大佬一个问题，buck电源的sw引脚在什么情况下会出现这个波形？
a：应该是负反馈不稳定导致。
q：好的，谢谢。
12有关放大器输入功率损耗的理解
q：请问大家怎了理解：放大器的输入功率最是终消耗在哪里了，还是反射到哪里了？
a：可以看看三极管的等效模型，共射极的情况下，消耗在rbe上了。
q：你好，场管呢？
a：另一个角度，无论三极管还是场效应管，输入都是有阻抗的，阻抗实部不能是0，都可以等效成一端接地的电阻。
a：场效应管，虽然输入直流电流不能流过，但是交流电流可以流入晶体管，所以也会消耗能量。
q：删源交流电阻吗？
a：嗯，里面肯定是有阻性的。
a：输入阻抗中的这个等效电阻，可以理解为把部分输入功率转化成了热量。输入阻抗的虚部，物理意义上，不会把输入功率变成热，而是存储或者耦合给了其他端口。个人理解，欢迎指正。
q：好 谢谢大家。
13有关doherty pa负载设计问题
q：大佬，doherty pa 需要牵引辅功放开启点对应的最优输出阻抗值吗？
a：辅功放才开启，有啥最优输出阻抗的。未开启时保证它在合路点的开路效果；饱和时做到匹配到最佳功率点阻抗就好了吧。
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a：不加激励，或者输入接负载会怎么样？你觉得有弱自激吗？
q：看不到。
a：可以看一下栅极的电压的波形，尤其是纹波，是否有同频信号。
q：当时我电源都外供过，确认过没有。另外，修改链路匹配，这个底噪恶化的频率会偏移，不固定的。
a：或者换个频点再看一下，看看跟单音的间距变不变？另外可以变换输入功率，看看鼓包幅度有没有变化。
a：加不加上盖板 贴不贴吸波材料有变化吗？
a：如果是固定的几十兆一般有可能是电源带进来的，电源或者地不干净都有可能。
q：频带内都有，当时我是固定输入激励幅度，增大vg来提高增益推大功率，功率越大幅度越高。几十兆会根据匹配电路改变而出现频率偏移。我还查了不同频段的应用，发现都有这个问题，但是我当时做的那个就特别高。我也有看过布局电源走线，因为其他板子的应用同样有问题，不倾向于电源走线。不上盖板也一样有这个底噪恶化。
a：一般底噪恶化是整体抬高。
q：最终我的解决办法是：在小信号输入那里将一个串联的耦合电容改到了非常小 2-3pf，然后这底噪恶化就降低下来了。指标虽然过了认证，但无法消除，但是原因我也没确认下来。
a：你有看过你的s11差吗？
q：小信号的s11看了我觉得没有意义，我当时那个应用是偏b与ab类的应用，是通过调栅压来使得功率增大的，增益会出现扩张。
a：图中定义的杂散，大家觉得随频谱仪rbw改变会变还是不变那种？
q：频率应该是不变的。
a：我也遇到过类似的，是不是没个芯片鼓包的位置还不完全一致，之前发现电源上有一个噪声包。
q：我当时看了那个方案的应用，各频段应用的板子都会有鼓包，频率不一样，因为有些板子幅度比较低，就一直没有关注到。我外供了所有电源还是有。你那个现象最终是定位到电源噪声包对吧？
a：我们发现低频电源噪声变频到pa发射的边带。
02有关电容q值仿真的问题
q：想问一下，大家仿真时看电容的q值时怎么看的，是当作单端口处理么，另外一端接地来计算么？还是当作两端口，另外一端接50欧到地？
a：这俩看的结果有啥区别吗？
q：有区别，电容等效电路不一样，算出来就不一样。
a：q 本身在复杂的网络里面就没有很严格的定义，最严格的是从能量损耗的角度，就你说的情况，一个叫元件的 unloaded q, 一个叫 loaded q， 后者在匹配网络里面通常认为跟带宽反比，但其实在高阶网络里面可能已经不成立。
a：有载网络q和无载网络q书上有讲，有载q跟整个网络所有节点q值都相关，但是到了有源器件，这个就太复杂了。
书上定义是存储的能量与消耗的能量比值是有载q。无源网络的带宽由节点q值较大处决定。
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q：请教一下，有个b40 aclr的问题，3.8v供电10m full rb或者5m full rb下，e_utra和utra1都有-40以下，3.4v供电(未做apt)5m full rb状态下utra1也仍然能保持在-40左右。
但是如果切成prb（8rb），start rb选high，右边的+utra1就只有-34.5左右了，离3gpp标准只剩2db左右的余量，看了低中高三个信道都有这个现象，还有就是如果把rb总数改成4或者2或者＞8的时候，都要比rb数是8的时候好很多，请问有谁知道这个要怎么优化呢？
q：目前优化过pain和 loadpull位置的匹配都改善不大，也试过调bias也无明显效果，就降功率还能稍微有点提升，不知道怎么解了，求大神指导。
a：建议还是把pa取下来，焊接猪尾巴，看看负载阻抗点，和pa厂家提供的load pull曲线对比看看。
q：看过loadpull，就有50ohm附近，跟推荐的差别不大，现在full. rb三个信道aclr都是很好的，之前prb的utra1有问题。
a：饱和功率有多少？
q：饱和功率能到27dbm，寄存器用的厂商提供的，没作修改就有这个问题。
a：那应该是芯片本身问题，估计是芯片里面的pa和baw filter调试问题。实在不行就分开片子，一级一级测找问题。
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q：嗯，我知道，不过有个问题就是就算是vcc有影响，也没法改善啊，正常来说做了apt，抬vcc肯定是能优化的，而且还得考虑功耗是否达标。
a：如果回退功率和提高vcc都有用，说明pa的p-3不够，就应该调pa的loadpull，往功率点去拉了。这样必定是会牺牲功耗。
q：能提就好了，就是我这个目前没做apt，vcc电压是固定3.4v的，校准的时候把vcc修改提升了也没效果。还有一个就是，如果是loadpull在的位置增益不够高的原因的话，是可以往增益高的位置去拉，但是很奇怪的是5m只有prb（#rb=8）是最差的，但是#rb=2 #rb=4的时候，aclr都要好很多，而且rb数是2和4的时候功率跟8的时候也都是差不多的，23dbm左右。非信令强发提高pa bias(vcc)aclr没改善，应该跟我们产品没做apt，锁死vcc供电电压（3.4v）有关。
a：不同带宽和rb下看到的线性度有不同是正常现象，详细分析可以参考问答群第4期的问题7：如果是frb的话，不考虑记忆效应（通常在20m带宽内记忆效应不明显），不同带宽测出来的eutra aclr结果差别不大，因为这个是积分带宽和offset在比值上是一样的。
你说的小带宽的aclr变差，应该说的是utra-1.6/5m的aclr，这个原因在于utra aclr定义的邻道到主信道的offset和主信道的带宽是相关的，但积分带宽是不变的，当主信道带宽变大（rballocation不变），utra积分channel就会因为offset变大而远离主信道，积分到的邻道能量就越小，导致体现到aclr是变好的。比如对于1.4m和5m的信号，同样是测e-utra/utra这些信号，带外积分不一样，得到的aclr就会不同。5m8rb的margin确实会小。
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不过5m8rb的utra和5m full rb的margin上差3~4dbc，绝对值上差2dbc左右比较合理，你的值上看绝对值差了7dbc确实有些多了。可以检查有没有其他问题。比如：
1. 检查5m8rb的左边和右边，以及高中低频点看是否一样，排除是否是滤波器影响；
2. 找pa厂商提供evb上5m8rb与5m full rb的测试结果，看是否pa特性即是如此；
3. 小功率查看不同波形区别，如果小功率也区别明显，则可能是rfic的问题。
04有关lna自激问题
q：网分看到的，这个是自激吗？
a：这是pa？增益怎么负的？关注下电流是不是异常偏大。
q：是lna，现在发现需要借助网分的smooth功能对s参数优化。
a：s21有异常尖峰凸起，代表测这个点时2端口接收到了明显的信号。有可能是自激震荡了，但也有可能是这个频点有额外的干扰信号，造成2端口接收到的信号能量变大，计算s21变大。
要确认是否是自激震荡还需要做些实验，最好用频谱仪来观察看是否有杂波频谱。网分看到的是小信号s参数，信息不够直接。
05有关signal studio里配置问题
q：问下有用过nr的软件吗？下图这里对应不同config区别是啥？
a：一直准备用89600，没有license，应该是配置一些上下行时隙配比和数据帧格式吧。
a：这个不是89601，是signal studio，这三种提供了标准的配置。frc在3gpp附录里面有规定配置。
q：嗯嗯 搞定了 里面定义不同rb配置生成以及调制阶数。
06有关smith圆图问题
q：请问哪本书有讲smith圆图讲得比较详细吗？
a：b站有教学视频，smith圆图怎么从直角坐标变换为极坐标，并且为什么换算完后是一个圆
q：好，我去搜搜看。
07有关rf crossovers器件
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08有关滤波器群延时的问题
q：请问群延时有没有计算公式，怎么算出来多少ns ，多少ns 会有影响？
a：group delay=-dh(jw)/dw。
q：这个公式我知道，比如滤波器有些群延时比较大，有些小。大的抖动厉害不好，ofdm子载波 通过滤波器 多大会有影响，比如baw通用就是20ns附近。
a：换成相位误差，用evm的公式可以大致算。
09有关微带线的击穿问题
q：第十四期问题5里有提到：”击穿有两种，电压击穿和电流击穿“。可以指教一下什么是微带线的电流击穿吗，我找了很多资料都只说了电压击穿。
点击图片跳转至第十四期问答
a：应该说的是失效模式。
q：微带线有电流击穿这个说法吗，有个朋友非说有，给我整蒙了。
q：他的意思是用线宽的通直流能力去衡量射频信号的等效电流，等效电流应小于微带线通直流能力。我查到的资料是微带线只有电压击穿，也就是介质击穿，用这个值算的话，功率容量很大的。
a：电压击穿一般是介质击穿，介质击穿的电压是很大的。而对于射频电流或者直流电流，我一般是考虑其等效均值电流。
a：所有的击穿可以分为两种，一种是电压击穿，一种是电流击穿，这个分界线也比较模糊，电压击穿可以理解为全开路状态，电流击穿可以认为是短路状态，中间的状态我们可以不管它，因为也可能两种击穿是存在；电流击穿最直观的现象就是过热，因为微带线也是有电阻的；电压击穿有一种情况，就是微带线和旁边的低距离很近（或者微带线拐弯儿处有尖角）这种会因为高压的存在导致有点火花存在，今儿烧坏。
对于微带线而言，考虑电流的情况为大多数，如上面老兄所属，介质的击穿电压非常高。
q：好的，感谢答疑，考虑电流，就是考虑其等效电流吗？
a：对，因为热是没有瞬间一说，或者说温升是一个时间积累的过程，所以瞬时电流没有意义，需要靠等效电流，即一段时间内的电流平均值。
q：好的，清楚了，感谢。
10有关pa bonding线寄生电感影响
q：请问一下大家，就是bonding线的电感导致pa的power高频下降很严重，是6g 频段cmos工艺，有什么好的方法解决呢？
a：这里的bonding线是rf输出的还是电源地上的呢?
a：不是wifi的，bonding线是电源端，多大的交流电流?
q：100ma左右。
a：把die的位置挪一下，缩短点，或者多打几根线。
q：好的。
11有关buck电源不稳定问题
q：请教各位大佬一个问题，buck电源的sw引脚在什么情况下会出现这个波形？
a：应该是负反馈不稳定导致。
q：好的，谢谢。
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q：请问大家怎了理解：放大器的输入功率最是终消耗在哪里了，还是反射到哪里了？
a：可以看看三极管的等效模型，共射极的情况下，消耗在rbe上了。
q：你好，场管呢？
a：另一个角度，无论三极管还是场效应管，输入都是有阻抗的，阻抗实部不能是0，都可以等效成一端接地的电阻。
a：场效应管，虽然输入直流电流不能流过，但是交流电流可以流入晶体管，所以也会消耗能量。
q：删源交流电阻吗？
a：嗯，里面肯定是有阻性的。
a：输入阻抗中的这个等效电阻，可以理解为把部分输入功率转化成了热量。输入阻抗的虚部，物理意义上，不会把输入功率变成热，而是存储或者耦合给了其他端口。个人理解，欢迎指正。
q：好 谢谢大家。
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