简单介绍SRAM存储器支持三种不同的模式
is62wv102416ebll是低功耗16m位静态sram，以1024kx16位组织。它采用的高性能cmos技术制造。这种高度可靠的过程与创新的电路设计技术相结合，可以生产出高性能和低功耗的存储器件。当处于高电平（取消选择）或cs2为低电平（取消选择）或处于低电平时，cs2均为高电平且两者均为高电平时，器件假定在待机模式下，可以通过cmos输入电平来降低功耗。
使用芯片使能和输出使能输入可轻松扩展存储器。激活的low write enable（低写使能）控制存储器的写入和读取。is62wv102416ebll采用jedec标准的48引脚bga（6mmx8mm）封装。issi代理商宇芯支持供样及产品技术解决方案。
引脚配置，48引脚bga
功能说明，sram是随机存取存储器之一。每个字节或字都有一个地址可以随机访问。sram存储器支持三种不同的模式。
待机模式，取消选择时，设备进入待机模式（high或cs2low或两者都为high）。输入和输出引脚（i/o0-15）处于高阻抗状态。根据输入电平，此模式下的电流消耗为isb1或isb2。此模式下的cmos输入将最大程度地节省功率。
写模式，选择芯片时（low和cs2high），写使能（）输入low时的写操作问题。输入和输出引脚（i/o0-15）处于数据输入模式。即使为low，在此期间输出缓冲区也会关闭。并启用字节写入功能。通过启用low来自i/o引脚（i/o0至i/o7）的数据被写入该位置。
在地址引脚上指定。处于低电平时，来自i/o引脚（i/o8至i/o15）的数据被写入该位置。
读取模式，选择芯片时（low和cs2为high），写使能（）输入为high时，读操作出现问题。当为低电平时，输出缓冲器打开以进行数据输出。不允许在读取模式下对i/o引脚进行任何输入。并启用字节读取功能。通过启用low，来自存储器的数据出现在i/o0-7上。处于低电平时，来自内存的数据将出现在i/o8-15上。
在读取模式下，可以通过拉高来关闭输出缓冲器。在此模式下的内部设备作为read操作，但i/o处于高阻抗状态。由于器件处于读取模式状态，因此使用有功电流。
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在地址引脚上指定。处于低电平时，来自i/o引脚（i/o8至i/o15）的数据被写入该位置。
读取模式，选择芯片时（low和cs2为high），写使能（）输入为high时，读操作出现问题。当为低电平时，输出缓冲器打开以进行数据输出。不允许在读取模式下对i/o引脚进行任何输入。并启用字节读取功能。通过启用low，来自存储器的数据出现在i/o0-7上。处于低电平时，来自内存的数据将出现在i/o8-15上。
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