2010年NAND Flash价格发展持续两极化
2010年nand flash价格发展持续两极化
nand flash市场未脱传统淡季，仍在等待苹果(apple)补货效应出现，2010年1月下旬nand flash合约价大致持平，高容量32gb和64gb芯片有小幅调涨，低容量芯片要严防3-bit-per-cell架构的tlc(triple- level cell)成为市场的价格杀手，但高容量产品新增产能又相当有限，因此2010年nand flash价格发展持续两极化。
近期nand flash现货价和合约价都有止跌的迹象，1月下旬nand flash合约价持平开出，在高容量32gb和64gb芯片方面，由于上游nand flash大厂的产出有限，因此合约价出现平盘到小涨3%幅度，也预告2010年nand flash市场发展逐渐朝两极化进行。
nand flash业者指出，农历春节前的大陆客户买盘陆续出笼，针对小型记忆卡等产品进行补货，期望1月底的补货效应会更加明显，但整个市场仍在等待系统大厂的回补行情发动，尤其是苹果的补货效应，以及新产品平板计算机islate采用高容量nand flash芯片，都令市场期待甚深。
2010 年nand flash市场进入30奈米制程世代，三星电子(samsung electronics) 由42奈米进入32奈米制程、海力士(hynix)由41奈米进入32奈米制程、东芝(toshiba)由43奈米进入32奈米制程，美光 (micron)和英特尔(intel)阵营2009年已领先进入30奈米世代，2010年则是要进入20奈米世代，显示各阵营在制程微缩上相当积极。
模块厂认为，其实2010年nand flash产业不用扩增产能，但单靠制程微缩技术，产出即增加不少。
同时，2010年三星和东芝也进入tlc芯片技术，成本结构大幅下降，但也造成nand flash低容量的芯片价格持续下滑。nand flash业者表示，2010年nand flash芯片价格是两极化发展，低价芯片在tlc世代下会更便宜，但高阶芯片则在系统大厂、手机应用等带动下，价格会相对持稳。
2010年下游厂认为，2009年nand flash芯片价格涨上来后，一直维持高档盘旋，2010年在制程微缩和tlc芯片出笼下，nand flash价格波动会较大，尤其传统淡季和旺季价格会相当明显，因此在操作上需要更加小心。
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2010年下游厂认为，2009年nand flash芯片价格涨上来后，一直维持高档盘旋，2010年在制程微缩和tlc芯片出笼下，nand flash价格波动会较大，尤其传统淡季和旺季价格会相当明显，因此在操作上需要更加小心。
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