(文章来源:半导体投资联盟)
全球第一的非存储器半导体企业英特尔在韩国推出新一代存储器半导体,外界解读,英特尔选在存储器半导体强国发表新产品,是在向全球前两大存储器半导体企业三星电子、sk海力士宣战。
英特尔首次选在韩国首尔举办全球意见领袖聚会,并公布数据中心用存储器的optane系列、存储器市场策略。英特尔计划在墨西哥里约兰町(rio rancho)工厂生产optane数据中心的dcpm(持续性存储器),并于明年上市。另一方面,英特尔也发表数据中心用固态硬盘144层4阶qlc(4bit为一单位)nand闪存,比三星电子、sk海力士的128层的nand更加密集。
据《韩国经济》报道,英特尔睽违多年重返存储器市场,重磅推出的optane系列,该系列结合dram、nand闪存的优点,着实令人眼睛为之一亮,不仅如此,英特尔特地在韩国发布新产品,许多美国总公司的相关技术人员也特地到韩国参与该活动,由此可见英特尔的野心。
英特尔资深副总裁罗布·克鲁克(rob crooke)在会场上表示,英特尔作为中央处理器(cpu)的强者,将存储器、非存储器领域结合,创造出新的机会。
虽然英特尔之前关闭了存储器业务,如今发布新一代存储器业务战略,将炮火瞄准存储器半导体大厂三星电子和sk海力士。但在存储器领域前景不乐观的背景下,英特尔为何选择向存储器市场进攻呢?罗布·克鲁克解释,存储器和cpu有密不可分的关系,为将加强cpu潜力,因此选择开发存储器。
主力生产cpu的英特尔认为,创新不仅需要改变cpu,也需要改变内存处理结构本身才行。现行的数据中心处理结构中,基本上依硬盘(hdd)、固态硬盘(ssd)、nand闪存、dram、暂存器、cpu的顺序处理数据。
在处理数据的流程中,永久存储数据的装置包含ssd、hdd及cpu,但处理顺序相隔遥远。dram虽然处理信息速度很快,但属于挥发性存储器,电源关闭后数据就会消失。影响处理数据的关键在于,重新叫出ssd、hdd储存的数据需要时间,这也是英特尔开发dcpm的背景,让该产品能有dram的处理速度,并能像nand闪存一样,即使电源关闭,也能保存数据。
从英特尔实测结果来看,数据中心使用其他公司dram重启所需时间为10分15秒,但使用英特尔dcpm的数据中心仅需19秒内就能完成重启。
值得注意的是英特尔的价格策略,如果英特尔想以dmpm取代目前的dram,就得制定出属于dmpm黄金性价比。韩国半导体企业相关人士表示,optane是过往没有的产品,需要观察未来的市场需求,如果定价与产品性让市场接受,该系列确实有可能破坏dram市场,但稍有不慎也可能会成为模棱两可的产品。
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