EV充电电源系统的电路设计
电动车的火热带动了相关的周边产业，比如充电系统，那设计ev充电电源系统？
uf3c120150k4s是一款1200伏碳化硅（sic）fet，其典型导通电阻（rds（on））为150mω，最高工作温度为175°c。
与标准的3引脚to-247相比，该器件采用to-247-4l封装，可提供更快的开关时间和更清晰的栅极波形。
unitedsic新型uf3cfastsic系列的成员现在共有13种器件，采用to-247-3l封装和to-247-4l封装。有1200v和650v两种选择。
为什么采用4引脚？开尔文连接
unitedsic工程副总裁anupbhalla博士在他的文章“使用开尔文连接来提高sicfet的开关效率”中描述了开尔文连接的功效。
他指出，sic设备最好采用to-247等封装，因为它们产生的热量可以带走。但正如他接着描述的那样，问题在于“与to-247封装的连接通常具有高电感，这可能会限制开关速度。”但是，通过使用开尔文连接的技术，可以控制这个问题。
当要关闭器件时，通过将栅极驱动到负电压可以克服这些麻烦的电感的影响，这需要额外的电路。
但是，通过使用开尔文连接来控制引线电感，设计人员可以避免这个问题。通过利用这种技术，unitedsic的设备能够以最大的潜在开关速度运行，而无需复杂的驱动电路，这缩短了oem的上市时间并降低了制造成本。
共源密码器件
uf3c120150k4s是一款共源共栅器件。在这种布置中，sic快速jfet与硅mosfet共同封装。这里的优点是mosfet可以用非常低的输入电压控制，它本身可以控制一个非常高压的jfet。
插入式替换功能
unitedsic的uf3c系列成员采用该公司所描述的真正的“直接替代”功能。这意味着设计人员可以通过简单地用unitedsicfet替换现有的siigbt，sifet，sicmosfet或si超结器件，而无需改变栅极驱动电压，从而显着提高系统性能。
对比其它半导体商的产品
随着今天对电力电子的重视，该领域还有其它的解决方案，以下是众多可供选择中的两种：
ssdi的sgf46e70和sgf15e100系列是结合了ganhemt（高电子迁移率晶体管）和低压硅mosfet的共源共栅器件。这些设备专为要求苛刻的航空和国防应用而设计。
transphorm的tp65h035ws是一款650v器件，结合了高压ganhemt和低压硅mosfet。它专为数据通信，太阳能逆变器和伺服电机设备以及广泛的工业应用而设计。
然而，似乎unitedsic仅提供基于gan或sic的开尔文功率fet。
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然而，似乎unitedsic仅提供基于gan或sic的开尔文功率fet。
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