合并pin肖特基结构可带来更高的稳健性和效率
奈梅亨,2023年4月20日:基础半导体器件领域的高产能生产专家nexperia今日宣布推出650 v碳化硅(sic)肖特基二极管,主要面向需要超高性能、低损耗和高效功率的电源应用。10 a、650 v sic肖特基二极管满足工业级器件标准,可应对高电压和高电流应用带来的挑战,包括开关模式电源、ac-dc和dc-dc转换器、电池充电基础设施、不间断电源和光伏逆变器,并提高持续运行性能。例如,相比仅使用硅基解决方案的数据中心,配备采用nexperia psc1065k sic肖特基二极管设计电源的数据中心将更加符合严格的能源效率标准。
psc1065k具备不受温度影响的电容开关和零恢复性能,提供先进的性能以及出色的品质因数(qc x vf)。其突出的开关性能几乎不受电流和开关速度变化的影响。psc1065k的合并pin肖特基(mps)结构还具备其他优势,例如出色的浪涌电流耐受能力,从而无需额外的保护电路。这些特性可显著降低系统复杂性,使硬件设计人员能够在耐用型高功率应用中,以更小的外形尺寸实现更高的效率。nexperia作为一系列高质量半导体技术产品的供应商,声誉良好,值得设计人员信赖。
这款sic肖特基二极管采用真2引脚(r2p) to-220-2通孔电源塑料封装。其他封装选项包括表面贴装(dpak r2p和d2pak r2p)和采用真2引脚配置的通孔(to-247-2)封装,可在高达175°c的高压应用中增强可靠性。
nexperia sic产品组高级总监katrin feurle表示:“在当前可用的解决方案中,我们提供的高性能sic肖特基二极管表现优异,对此我们倍感自豪。随着人们的能源意识日渐增强,我们正致力于为市场带来更多选择和便利性,以满足市场对高容量、高效率应用显著增加的需求。”
nexperia计划不断增加其sic二极管产品组合,包括工作电压为650 v和1200 v、电流范围为6-20 a的和车规级器件。新款sic二极管现可提供样品,并于近日开始量产。
如需进一步了解nexperia的新款650 v sic肖特基二极管,请访问:www.nexperia.cn/sic_diodes
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