双向可控硅怎么测量好坏
双向可控硅怎么测量好坏
用万用表即可判断双向可控硅的好坏，但具体参数测不出来。
用万用表测量的方法如下：
1、t2极的确定：用万用表r*1档或r*100档，分别测量各管脚的反向电阻，其中若测得两管脚的正反向电阻都很小（约100欧姆左右），即为t1和g极，而剩下的一脚为t2极。
2、t1和g极的区分：将这两极其中任意一极假设为t1极而另一极假设为g极，万用表设置为r*1档，用两表笔（不分正负极）分别接触已确定的t2极和假设的t1极，并将接触t1的表笔同时接触假设的g极，在保证不断开假设的t1极的情况下，断开假设的g极，万用表仍显示导通状态。
3、将表笔对换，用同样的方法进行测量，如果万用表仍然显示同样的结果，那么所假设的t1极和g极是正确的。如果在保证不断开假设的t1极的情况下，断开假设的g极，万用表显示断开状态，说明假设的t1和g极相反了，从新假设再进行测量，结果一定正确。
如果测量不出上述结果，说明该双向可控硅是坏的。这种方法虽然不能测出具体参数，但判断是否可用还是可行的。
双向可控硅使用条件 （1）外加电压下允许超过正向转折电压，否则控制极将不起作用。
（2）可控硅的通态平均电流从安全角度考虑一般按最大电流的1.5~2倍来取。
（3）为保证控制极可靠触发，加到控制极的触发电流一般取大于其额值，除此以外，还必须采取保护措施，一般对过流的保护措施是在电路中串入快速熔断器，其额定电流取可控硅电流平均值的1.5倍左右，其接入的位置可在交流侧或直流侧，当在交流侧时额定电流取大些。
一般多采用前者，过电压保护常发生在存在电感的电路上，或交流侧出现干扰的浪涌电压或交流侧的暂态过程产生的过压。由于，过电压的尖峰高，作用时间短，常采用电阻和电容吸收电路加以抑制。
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2、t1和g极的区分：将这两极其中任意一极假设为t1极而另一极假设为g极，万用表设置为r*1档，用两表笔（不分正负极）分别接触已确定的t2极和假设的t1极，并将接触t1的表笔同时接触假设的g极，在保证不断开假设的t1极的情况下，断开假设的g极，万用表仍显示导通状态。
3、将表笔对换，用同样的方法进行测量，如果万用表仍然显示同样的结果，那么所假设的t1极和g极是正确的。如果在保证不断开假设的t1极的情况下，断开假设的g极，万用表显示断开状态，说明假设的t1和g极相反了，从新假设再进行测量，结果一定正确。
如果测量不出上述结果，说明该双向可控硅是坏的。这种方法虽然不能测出具体参数，但判断是否可用还是可行的。
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（2）可控硅的通态平均电流从安全角度考虑一般按最大电流的1.5~2倍来取。
（3）为保证控制极可靠触发，加到控制极的触发电流一般取大于其额值，除此以外，还必须采取保护措施，一般对过流的保护措施是在电路中串入快速熔断器，其额定电流取可控硅电流平均值的1.5倍左右，其接入的位置可在交流侧或直流侧，当在交流侧时额定电流取大些。
一般多采用前者，过电压保护常发生在存在电感的电路上，或交流侧出现干扰的浪涌电压或交流侧的暂态过程产生的过压。由于，过电压的尖峰高，作用时间短，常采用电阻和电容吸收电路加以抑制。
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