IBM、美光、应用材料、东京电子宣布合作建设 High-NA EUV 研发中心

12 月 12 日消息,今天早些时候,纽约州长凯西・霍楚尔(kathy hochul )宣布与 ibm、美光、应用材料、东京电子(东京威力科创)等半导体巨头达成合作,投资 100 亿美元,在纽约州 albany nanotech complex 建设下一代 high-na euv 半导体研发中心。
根据声明,负责协调该设施建设的非营利性机构 ny creates 将利用 10 亿美元州政府资金向 asml 采购 twinscan exe:5200 ***。
纽约州表示,一旦机器安装完毕,该项目及其合作伙伴将开始研究下一代芯片制造。官方声明指出,该项目将创造 700 个工作岗位,并带来至少 90 亿美元的私人投资。
此外,官方还强调,这将是北美第一个也是唯一一个拥有 high-na euv 光刻系统的公有研发中心,将为开发和生产 2nm 节点甚至更先进的芯片铺平道路。


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