桥式电路的开关产生的电流和电压
本文将介绍在sic mosfet这一系列开关动作中，sic mosfet的vds和id的变化会产生什么样的电流和电压。
下面的电路图是sic mosfet桥式结构的同步式boost电路，ls开关导通时的示例。电路图中包括sic mosfet的寄生电容、电感、电阻，hs和ls的sic mosfet的vds和id的变化带来的各处的栅极电流（绿色线）。
id的变化did/dt所产生的电压
id的变化将会产生下述公式（1）所示的电压。
这是由于存在于sic mosfet源极的寄生电感中流过id而产生的电压，是由电路图中的(i)引起的。该电压会使电流(i’)流过。
vds的变化dvds/dt所产生的电流
以hs为例，当sic mosfet关断、vds变化时，gate-drain寄生电容cgd中会流过电流icgd。如电路图所示，该电流分为gate-source寄生电容cgs侧流过的电流icgd1：(ii)-1和栅极电路侧流过的电流icgd2：(ii)-2。当vds开始变化时，栅极电路侧的阻抗较大，因此大部分icgd都在cgs侧，此时的icgd1如公式（2）所示。
从公式可以看出，当cgd较大时或cgd/cgs的比值变小时，icgd1会增加。
dvds/dt和did/dt既可以为正也可以为负，所以因它们而产生的电流和电压的极性在导通（turn-on）和关断（turn-off）时是不同的。
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