SiGaNSiC-MOSFET以及Si-IGBT的工作环境
si-mosfet 、si-igbt 、gan-mosfet、sic-mosfet的电压、频率、功率之间的比较如下图所示：
来源：英飞凌，罗姆半导体
gan 、sic很有可能在高压高频方面完全取代硅基
sic mosfet 主打高压领域；gan mosfet 主打高频领域。
根据功率、频率2个维度我们梳理主流功率器件物理特性及适用场合：
si-igbt虽然在高压领域具有优势，但是并不能胜任高频领域需求；
si-mosfet可以胜任高频领域，但是对于电压有一定的限制；
sic与mosfet相比完美地解决了硅基中高压与高频很难同时实现这一难题，基于与高压中频兼容, sic-mosfet并以其高效率小体积等特点成为电动汽车，充电桩和光伏逆变器（不考虑成本的话）的最优方案；
gan-mosfet由于具有超高频率性能，在5g射频领域前景广阔，目前以5g基站pa为主预计将来会扩宽至终端设备射频领域（如手机）.另外gan-mosfet还在1000v内的快充，电动汽车等低电压和中压领域具有很大的潜在应用价值。
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