100V高端/低端N沟道高速MOSFET驱动器LTC4446
加利福尼亚州米尔皮塔斯 (milpitas, ca) – 2008 年 6 月 12 日 – 凌力尔特公司(linear technology corporation) 推出高频、高输入电源电压 (100v) mosfet 驱动器 ltc4446，用来驱动双晶体管正激式转换器中的高端和低端 n 沟道功率 mosfet。这个驱动器与功率 mosfet 和一个凌力尔特公司的 dc/dc 控制器一起，可组成一个完整的高效率双晶体管正激式转换器，或者可以配置为快速动作的高压 dc 开关。
这个强大的驱动器以 1.2ω 下拉阻抗驱动高端 mosfet 时可以提供高达 2.5a 的电流，而以 0.55ω 下拉阻抗驱动同步 mosfet 时可提供 3a 的电流，从而非常适用于驱动高栅极电容、大电流 mosfet。ltc4446 还可以为较大电流应用驱动多个并联 mosfet。当驱动一个 1000pf 负载时，高端 mosfet 的快速 8ns 上升时间和 5ns 下降时间、以及低端 mosfet 的 6ns 上升时间和 3ns 下降时间最大限度地减小了开关损耗。
ltc4446 配置为使用两个不受电源影响的输入。高端输入逻辑信号在内部将电平移位至自举电源，在比地电平高 114v 时还可以工作。另外，该器件在 7.2v 至 13.5v 的电压范围内同时驱动高端和低端 mosfet 栅极。
ltc4446ems8 和 ltc4446ims8 采用耐热增强型 msop-8 封装，以 1000 片为单位批量购买，每片价格为 1.69 美元。
性能概要：ltc4446
• 高端/低端 n 沟道 mosfet 驱动器
• 最高电源电压为 100v
• 非常适用于双晶体管正激式转换器
• 高压开关应用
• 大驱动电流：在下拉阻抗为 0.55ω 时提供 3a 电流
• 7.2v 至 13.5v 的栅极驱动电压
• 高端栅极：驱动 1000pf 负载时上升时间为 8ns，下降时间为 5ns
• 低端栅极：驱动 1000pf 负载时上升时间为 6ns，下降时间为 3ns
• 为栅极驱动电压提供欠压闭锁
• 耐热增强型 msop-8 封装
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ltc4446 配置为使用两个不受电源影响的输入。高端输入逻辑信号在内部将电平移位至自举电源，在比地电平高 114v 时还可以工作。另外，该器件在 7.2v 至 13.5v 的电压范围内同时驱动高端和低端 mosfet 栅极。
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• 低端栅极：驱动 1000pf 负载时上升时间为 6ns，下降时间为 3ns
• 为栅极驱动电压提供欠压闭锁
• 耐热增强型 msop-8 封装
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