英伟达HBM3e 验证计划2024 Q1完成
预计英伟达hbm3e 验证将于2024 q1完成。
trendforce对hbm市场的最新研究表明，英伟达计划使其hbm供应商多元化，以实现更强大、更高效的供应链管理。三星的 hbm3 (24gb) 预计将于今年 12 月完成英伟达的验证。hbm3e 的进展情况如下表所示，美光于 7 月底向英伟达提供了 8hi (24gb) 样品，8 月中旬向 sk 海力士提供，10 月初向三星提供。
鉴于 hbm 验证过程的复杂性（预计需要两个季度），trendforce 预计一些制造商可能会在 2023 年底之前获悉 hbm3e 的初步结果。不过，普遍预计主要制造商将在 2024 年第一季度之前获得明确的结果。值得注意的是，最终评估仍在进行中，结果将影响英伟达2024 年的采购决策。
英伟达继续主导高端芯片市场，扩大其先进ai芯片阵容
2024 年即将到来，多家 ai 芯片供应商纷纷推出最新产品。英伟达目前的 2023 年高端 ai 系列采用了 hbm，包括 a100/a800 和 h100/h800 等型号。2024 年，英伟达计划进一步完善其产品组合。新增加的产品包括使用 6 个 hbm3e 芯片的 h200 和使用 8 个 hbm3e 芯片的 b100。英伟达还将集成自家基于 arm 的 cpu 和 gpu，推出 gh200 和 gb200，通过更专业、更强大的 ai 解决方案增强其产品阵容。
相比之下，amd 2024 年的重点是采用 hbm3 的 mi300 系列，下一代 mi350 过渡到 hbm3e。该公司预计将于2024年下半年开始对 mi350 进行 hbm 验证，预计 25 年 1 季度产品将大幅增加。 intel habana 在 2h22 推出了 gaudi 2，它采用了 6 个 hbm2e 堆栈。即将推出的 gaudi 3（预计于 2024 年中期推出）预计将继续使用 hbm2e，但将升级至 8 个堆栈。trendforce认为，英伟达凭借其最先进的hbm规格、产品准备和战略时间表，将在gpu领域保持领先地位，进而在竞争激烈的ai芯片市场保持领先地位。
hbm4 可能转向商品 dram 之外的定制
hbm4 预计将于 2026 年推出，具有针对英伟达和其他 csp 未来产品量身定制的增强规格和性能。在更高速度的推动下，hbm4 将标志着其最底部逻辑芯片（基础芯片）首次使用 12 纳米工艺晶圆，由代工厂提供。这一进步标志着代工厂和存储器供应商之间针对每种 hbm 产品的合作努力，反映了高速存储器技术不断发展的前景。 随着更高计算性能的推动，hbm4 将从当前的 12 层(12hi)堆栈扩展到 16 层 (16hi) 堆栈，从而刺激对新混合键合技术的需求。hbm4 12hi 产品将于 2026 年推出，16hi 型号将于 2027 年推出。
最后，trendforce 指出 hbm4 市场的定制需求发生了重大转变。买家正在启动定制规范，超越与 soc 相邻的传统布局，并探索将 hbm 直接堆叠在 soc 顶部等选项。虽然这些可能性仍在评估中，但 trendforce 预计将针对 hbm 行业的未来采取更加量身定制的方法。 与商品 dram 的标准化方法相反，这种向定制化的转变预计将带来独特的设计和定价策略，标志着对传统框架的背离，并预示着 hbm 技术专业化生产时代的到来。 存储芯片市场价格的反弹信号，让行业人士看到“曙光”。
在2024年存储产业趋势研讨会上，集邦咨询资深研究副总经理吴雅婷表示：“2023年，原厂产能策略步调一致，均以去库存为目标。目前实际生产量已经低于需求，预计第四季度库存去化将加速。展望明年，供需将逐步走向平衡，带动价格缓步上涨。”近2年来，全球存储芯片产业经历了过山车行情，从2021年的缺货，供不应求，到2022年的产能过剩，2023年第三季度开始出现反转信号，存储芯片春天即将到来。 进入第四季度，多个型号的存储芯片呈现涨价之势。根据集邦咨询最新研究数据，今年第四季mobile dram（移动动态随机存取存储器）合约价季涨幅预估将扩大至13%至18%。
nand flash（闪存存储器）方面，emmc（嵌入式多媒体存储芯片）、ufs（通用闪存存储芯片）第四季合约价涨幅约10%至15%；由于mobile dram一直以来获利表现均较其他dram（动态随机存取存储器）产品低，因此成为本次的领涨项目。 兆易创新在接受机构调研时表示：“大存储在今年第三季度已经达到了价格的底部区间。在今年三季度末大存储出现一些价格反弹，此反弹对利基存储有一定的带动效应，利基存储价格也在筑底并有微弱反弹。明年大存储的价格有望延续反弹的走势，但也不太会出现暴涨暴跌的情况；利基型dram也会随着大存储反弹的走势，延续微弱反弹的趋势。具体供需关系还要看明年需求的恢复情况以及主流厂商减产的持续时间。”
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1kA脉冲电流发生器测控电路的设计案例
余压监控系统厂家为你讲述余压监控主机的功能
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300GB容量的光碟将于2015年面世
微创腹腔镜手术步入3D时代
小米9抢先体验全程DC调光效果 低亮度下对比度下降和显示颗粒感彻底解决
基于Modbus协议栈模块的设计与实现
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trendforce对hbm市场的最新研究表明，英伟达计划使其hbm供应商多元化，以实现更强大、更高效的供应链管理。三星的 hbm3 (24gb) 预计将于今年 12 月完成英伟达的验证。hbm3e 的进展情况如下表所示，美光于 7 月底向英伟达提供了 8hi (24gb) 样品，8 月中旬向 sk 海力士提供，10 月初向三星提供。
鉴于 hbm 验证过程的复杂性（预计需要两个季度），trendforce 预计一些制造商可能会在 2023 年底之前获悉 hbm3e 的初步结果。不过，普遍预计主要制造商将在 2024 年第一季度之前获得明确的结果。值得注意的是，最终评估仍在进行中，结果将影响英伟达2024 年的采购决策。
英伟达继续主导高端芯片市场，扩大其先进ai芯片阵容
2024 年即将到来，多家 ai 芯片供应商纷纷推出最新产品。英伟达目前的 2023 年高端 ai 系列采用了 hbm，包括 a100/a800 和 h100/h800 等型号。2024 年，英伟达计划进一步完善其产品组合。新增加的产品包括使用 6 个 hbm3e 芯片的 h200 和使用 8 个 hbm3e 芯片的 b100。英伟达还将集成自家基于 arm 的 cpu 和 gpu，推出 gh200 和 gb200，通过更专业、更强大的 ai 解决方案增强其产品阵容。
相比之下，amd 2024 年的重点是采用 hbm3 的 mi300 系列，下一代 mi350 过渡到 hbm3e。该公司预计将于2024年下半年开始对 mi350 进行 hbm 验证，预计 25 年 1 季度产品将大幅增加。 intel habana 在 2h22 推出了 gaudi 2，它采用了 6 个 hbm2e 堆栈。即将推出的 gaudi 3（预计于 2024 年中期推出）预计将继续使用 hbm2e，但将升级至 8 个堆栈。trendforce认为，英伟达凭借其最先进的hbm规格、产品准备和战略时间表，将在gpu领域保持领先地位，进而在竞争激烈的ai芯片市场保持领先地位。
hbm4 可能转向商品 dram 之外的定制
hbm4 预计将于 2026 年推出，具有针对英伟达和其他 csp 未来产品量身定制的增强规格和性能。在更高速度的推动下，hbm4 将标志着其最底部逻辑芯片（基础芯片）首次使用 12 纳米工艺晶圆，由代工厂提供。这一进步标志着代工厂和存储器供应商之间针对每种 hbm 产品的合作努力，反映了高速存储器技术不断发展的前景。 随着更高计算性能的推动，hbm4 将从当前的 12 层(12hi)堆栈扩展到 16 层 (16hi) 堆栈，从而刺激对新混合键合技术的需求。hbm4 12hi 产品将于 2026 年推出，16hi 型号将于 2027 年推出。
最后，trendforce 指出 hbm4 市场的定制需求发生了重大转变。买家正在启动定制规范，超越与 soc 相邻的传统布局，并探索将 hbm 直接堆叠在 soc 顶部等选项。虽然这些可能性仍在评估中，但 trendforce 预计将针对 hbm 行业的未来采取更加量身定制的方法。 与商品 dram 的标准化方法相反，这种向定制化的转变预计将带来独特的设计和定价策略，标志着对传统框架的背离，并预示着 hbm 技术专业化生产时代的到来。 存储芯片市场价格的反弹信号，让行业人士看到“曙光”。
在2024年存储产业趋势研讨会上，集邦咨询资深研究副总经理吴雅婷表示：“2023年，原厂产能策略步调一致，均以去库存为目标。目前实际生产量已经低于需求，预计第四季度库存去化将加速。展望明年，供需将逐步走向平衡，带动价格缓步上涨。”近2年来，全球存储芯片产业经历了过山车行情，从2021年的缺货，供不应求，到2022年的产能过剩，2023年第三季度开始出现反转信号，存储芯片春天即将到来。 进入第四季度，多个型号的存储芯片呈现涨价之势。根据集邦咨询最新研究数据，今年第四季mobile dram（移动动态随机存取存储器）合约价季涨幅预估将扩大至13%至18%。
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