韩国集成电路产业发展，ICIndustry Development in South Korea
韩国是全球集成电路产业大国，其半导体产业规模占全国 cdp 的 5%，目前拥有两万至家企业支撑着其半导体产业。韩国集成电路产业起源于20世纪 60年代，当时美国半导体企业将封装产能转移到了韩国。从1966年开始，以仙童公司、摩托罗拉公司、signeties 公司为代表的美国公司开始利用韩国的成本优势，在韩国投资设立封装或组装厂，转移相关产能。随后，以南亚、ig、现代为代表的韩国本士企业也开始进人半导体封测环节。与此同时，在日韩实现邦交正常化的基础上，以东芝为代表的日木半导体厂商也开始在韩国投资建设工厂。以上奠定了韩国集成电路产业的发展基础。
1973 年，韩国成立了国家科学技术委员会。1975年，韩国政府制定了推动半导体产业发展的六年计划，建立了韩国高级科学技术研究院 (kaist)。1976年韩国又建立了韩国电子技术研究所（kist)，进行超大规模集成电路的研究1974 年，韩裔美籍专家姜基东创立了第一家韩国本土半导体企业韩国半导体公司（后被三星公司收购)，标志着韩国拥有了自己控制的半导体制造企业。到20世纪 70年代末，韩国己经通过美国和日本获得了集成电路产业生产的技术，达到了生产超大规模集成电路的技术水平。
1981年韩国政府通过 《半导体工业综合发展计划》 以支持 4mbit、256mbitdram 的开发。同时，在政府的支持下，三星、现代和ig 开始进军集成电路制造领域。1982年三星建立了一个半导体研发实验室．专注于双极型和金属-氧化物-半导体的道向工程和技术吸收。1983 年韩国几大半导体公司开始为 ibm德州仪器、intel代工 dram 芯片。1986年，韩国开始自主研发存储器芯片，将4mbit dram 列为国家项目，同时将三星、ig 和现代组成联盟，由韩国电子技术研究所作为厂商、大学和政府的协调者。在1986-1989 年这三年进行的 4mbitdram 研发中，韩国总共投人 1.1亿美元，其中政府承担了其中的 57%，远超其他国家项目。4mbit dram 的成功研发，不仅缩短了韩国 dram 技术与美日之间的差距，更使得三星 现代、ic 等大型企业建立起了独立研发的能力。1992年与美国和日本同期研发制造出 64mbit dram 芯片，1995 年韩国率先制造出256mbit dram 产品，技术水平超越美国和日本。
除了存储器领域在全球处于领先地位，韩国在应用处理器、asic 等领域也具有很强的竞争力。三星公司是全球能够进行 14nm 代工的三家企业之一。另外，韩国在半导体设备和材料领域也具有较强的竞争力，semes、圆益is、kc tech、nepes、 sk material 等公司为韩国半导体国产化做出了很大贡献。与此同时，韩国目前的存储器产能也在向海外转移，中国西安和无锡分别承接了三星和 sk 海力士的存储器生产产能。
2016年，韩国产业规模占全球市场的17%，排名全球第2位。根据 icinsights 数据，2016 年全球前 10位半导体企业中，三星和 sk 海力士分列第2和第6位，全球前50 位 fabless 厂商中，silicon works 排名第 22；全球前 10位foundry 中，东部电子 (dong bu hitech）排名第9位。
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除了存储器领域在全球处于领先地位，韩国在应用处理器、asic 等领域也具有很强的竞争力。三星公司是全球能够进行 14nm 代工的三家企业之一。另外，韩国在半导体设备和材料领域也具有较强的竞争力，semes、圆益is、kc tech、nepes、 sk material 等公司为韩国半导体国产化做出了很大贡献。与此同时，韩国目前的存储器产能也在向海外转移，中国西安和无锡分别承接了三星和 sk 海力士的存储器生产产能。
2016年，韩国产业规模占全球市场的17%，排名全球第2位。根据 icinsights 数据，2016 年全球前 10位半导体企业中，三星和 sk 海力士分列第2和第6位，全球前50 位 fabless 厂商中，silicon works 排名第 22；全球前 10位foundry 中，东部电子 (dong bu hitech）排名第9位。
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