随着嵌入式行业的快速发展,arm核心板、arm工控板得到越来越广泛的应用。arm核心板将主控制器(mpu)、内存、存储、电源管理等关键器件打包成的一个最小系统,完善的操作系统及驱动可以极大缩短项目开发周期。本文将简单阐述如何正确选择合适的存储类型。
图 1 hd6q-core
当前arm核心板所用到的存储(电子硬盘)大体分为两类:nand flash和emmc。nand flash存储器是flash存储器的一种,使用复杂的i/o口来串行地存取数据,各个产品或厂商的方法可能各不相同 ,一般是8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。
emmc 本质上还是nand flash ,emmc=nand flash +闪存控制芯片+标准接口封装,其内部集成的闪存控制器具有读写协议、擦写均衡、坏块管理、ecc校验、电源管理、时钟管理、数据存取等功能,极大降低了nand-flash的使用难度。
一般来讲,当主控制性能较低时(如arm9、cortex-a7),其所搭配的存储容量也较低,在256m、512m时通常选择nand flash。当主控制性能较高时(如cortex-a9、cortex-a53),其所搭配的存储容量也较高,在4gb、8gb甚至32gb时emmc将更具性价比。
图 2 nand flash与emmc
只知道nand flash和emmc之间的简单区别,还不足以选择好存储,接下来我们看一下nand flash闪存颗粒对性能、安全及价格方面的影响。
nand flash闪存颗粒主要包括四种类型:slc、mlc、tlc、qlc。
第一代slc(single-level cell)每单元可存储1比特数据(1bit/cell),性能好、寿命长,可经受10万次编程/擦写循环,但容量低、成本高,市场上用的比较少;
第二代mlc(multi-level cell)每单元可存储2比特数据(2bits/cell),性能、寿命、容量、成各方面比较均衡,可经受1万次编程/擦写循环,目前主流的核心板厂商大都配置该类型的存储;
第三代tlc(trinary-level cell)每单元可存储3比特数据(3bits/cell),性能、寿命变差,只能经受3千次编程/擦写循环,但是容量可以做得更大,成本也可以更低,大多数固态硬盘的选择;
第四代qlc(quad-level cell)每单元可存储4比特数据(4bits/cell),性能、寿命进一步变差,只能经受1000次编程/擦写循环,但是容量更容易提升,成本也继续降低。
图 3 slc、mlc、tlc、qlc存储图示
综合以上情况,若是用于一般性工业或商业应用的arm核心板,搭载性价比较高的mlc nand即可;若项目对数据、系统的要求极高,则需要选择slc存储方案的arm核心板,最大程度的降低因存储导致的系统崩溃或关键数据丢失。
武汉万象奥科是国内专业的嵌入式方案提供商之一,以华中科技大学数位博士为技术骨干,推出多款板载或外接scl nand、mlc nand的arm核心板方案,丰富的软硬件设计方案及经验为您的产品开发保驾护航。
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