英特尔、三星等涉足晶圆代工 台积电市场压力增大
三星电子（samsung electronics）和英特尔（intel）将大幅拓展晶圆代工事业领域。过去掌握晶圆代工市场的台积电、格罗方德（global foundries）等单纯晶圆代工业者，和三星、英特尔等综合半导体企业（idm）凭藉各自的优势，形成竞争版图。
据韩国朝鲜日报报导，三星在大陆上海举办三星晶圆代工论坛（samsung foundry forum），以海思半导体、展讯、联发科等ic设计业者为对象进行技术说明会。三星大陆负责人崔哲（音译）在100多名业界与会人士面前公开三星最尖端的10纳米、14纳米制程，并介绍8吋制程等可提升成本效益。
韩国业界认为，三星将以本次活动为起点，积极在大陆确保晶圆代工客户。三星自数年前开始逐渐降低对最大客户苹果（apple）的依赖，为吸引新客户，扶植晶圆代工技术。2014年三星也与意法半导体（st microelectronics）合作，开始研发28纳米完全空乏式（depletion-type）绝缘上覆硅（fd-soi）技术。
fd-soi制程是在硅晶圆上制造轻薄绝缘氧化膜，再形成平面型电晶体电极的半导体制程。因外泄电流量少，用电效率最高提升近2倍，且可大幅缩减生产成本。2015年3月三星完成fd-soi产品测试阶段，目前也完成商用化生产准备。
韩国半导体业界人士表示，移动应用处理器（ap）等高集成芯片一般会使用传统3d finfet制成，结合类比电路的无线通讯（rf）芯片等，仍最适用fd-soi制程。三星为生产处理器之外的芯片，一定会使用fd-soi制程。
全球半导体龙头英特尔也宣布在晶圆代工市场上拓展领域。韩国业界先前预测英特尔2011年进军晶圆代工市场，而英特尔也透过与乐金电子（lg electronics）、展讯、拓朗半导体（altera）等大客户合作，正式跨足市场。近来英特尔获得arm设计授权，2017年下半将运用10纳米制程，生产乐金手机ap产品。
三星、英特尔等idm大厂加强对晶圆代工市场攻略的理由，是因相关市场获利性将持续成长。半导体微细制程转换逐渐进入瓶颈，ic设计业者委托生产具一定水准的芯片的成本也逐渐攀升。
外电引用市调机构ic insights资料指出，2016年半导体整体市场将出现2%负成长，但晶圆代工领域的成长率预估有9%。
另一方面，台积电独吞逾5成市占率的晶圆代工市场版图，是否会因三星和英特尔的攻势出现变化，受到市场关注。韩国业界认为在生产效益方面，台积电、格罗方德等专门晶圆代工业者握有优势，但在微细制程、封装等高难度制程方面，三星和英特尔则较为领先。
英特尔euv微影传延迟 营收与技术领先首当其冲
英特尔（intel）日前传出将延迟2年部署极紫外光（euv）微影技术消息，对此，评论认为，此举将让该公司出现非现金折旧支出而拖累营收，也可能让三星电子（samsung electronics）、globalfoundries与台积电等对手趁势坐大。该消息从技术上或财务上来看，对英特尔皆不利。
据amigobulls报导，英特尔过去几年来，持续透过投入数十亿美元资本支出，希望能领先其他晶圆代工业者，日前也积极部署资本密集的euv微影技术，以便能在2017年生产10纳米芯片，希望更提高其领先优势。
不过，由于翻新设备时程延迟以及可能出现良率问题，英特尔传出将延至2019年才会在7纳米引进euv微影，评论认为，此举等于可能让三星、globalfoundries与台积电有机会赶上。
过去10年来，随着技术节点出现多次进展，在效能、效率与功耗上都取得进步，但进入更细微节点后，便得面临物理定律问题。如今已出现进入10纳米以下，即使芯片厂投入钜资但相对取得性能进展已不多的窘境，所幸这时euv救兵出现。
目前业界是采用深紫外线（deep ultraviolet）微影技术来制造芯片，其原理类似相机技术，是透过镜头将光聚焦并在晶圆上蚀刻电路，但目前业者也面临在追求精准光束与尽量微小上遭遇受限的问题，且与物理定律脱离不了关系。
所幸euv微影更小的波长可轻易在更小规模下聚焦与控制euv雷射，让晶圆厂能在晶圆上刻下更小电路，理论上可一路顺利进展至5纳米。
过去少数报告也曾指出，使用euv制造芯片的速度比传统方式生产芯片快100倍，姑且不论是否属实，euv微影在持续微缩上确实有助益。
评论指出，英特尔曾率先表示，期望能在2017年开始使用euv生产10纳米芯片，换言之，euv能投片（ramp）被视为英特尔领先对手的因素，但该公司目前改为在2019~2020年在7纳米才引进euv微影，而且前提是假设10纳米没有投片问题。
另外，值得注意的是，英特尔对手三星、台积电与globalfoundries也计划届时将推出euv微影，如此对英特尔自然不是好消息。
评论认为，上述4家公司预计在2018~2019年前都会进入相同制程节点，英特尔若缺少euv加持，就芯片制造技术上已与其他对手无异，其制程领先优势也将化为无形。
另外，从财务角度来看，延迟euv技术同样不利英特尔。首先，部署euv所费不赀，初期单项工具高达1亿美元，据估计该公司截至2015年4月投入10亿美元，目前该金额势必早已增加。
除此之外，当初英特尔增加采购工具是为了在2017年让下一代技术商用，如今延后2年后，该段期间英特尔等于无法利用上述昂贵设备获利，未来2年非现金折旧费用持续增加后，将无形中影响英特尔营收。
再者，随着英特尔未来几年制程领先缩小，以安谋（arm）为主的伺服器产品也将快速出现。
因为预计2019年，高通（qualcomm）、超微（amd）与cavium将取得相同euv微影与相同节点，理论上，上述公司芯片性能将可接近英特尔xeon芯片，等于让英特尔在伺服器市场上将更难遏止arm为主产品出现斩获。
5G+无人机将会是下一个发展潮流?
Recogni在汽车行业“名人录”的支持下退出了隐形模式
续流二极管技术参数
荣耀v9评测：就是我想要的快
乐天将开设VR主题乐园，并提供超过60种VR游戏项目和设施
英特尔、三星等涉足晶圆代工 台积电市场压力增大
Vishay推出用于直接IGBT安装的镀金属聚丙烯膜缓冲电容器
2019年iPhone将是具有增强现实能力的三个先进3D传感镜头
你了解Linux中7个判断文件系统类型的方法？
电力电容器的作用与规格型号
物联网协议的主要特征及优缺点
华为东莞云数据中心入选节能优秀案例
详解智能座舱内部的各种摄像头
电池隔离器
Nexus One：G赚的不是硬件，是线上服务
后米物联安灯系统解决方案
温彻斯特硬盘的前世今生
FPGA芯片的未来发展趋势会是怎样的
LCD拼接屏与led显示大屏的区别
如何排除DC-DC降压转换器的故障
据韩国朝鲜日报报导，三星在大陆上海举办三星晶圆代工论坛（samsung foundry forum），以海思半导体、展讯、联发科等ic设计业者为对象进行技术说明会。三星大陆负责人崔哲（音译）在100多名业界与会人士面前公开三星最尖端的10纳米、14纳米制程，并介绍8吋制程等可提升成本效益。
韩国业界认为，三星将以本次活动为起点，积极在大陆确保晶圆代工客户。三星自数年前开始逐渐降低对最大客户苹果（apple）的依赖，为吸引新客户，扶植晶圆代工技术。2014年三星也与意法半导体（st microelectronics）合作，开始研发28纳米完全空乏式（depletion-type）绝缘上覆硅（fd-soi）技术。
fd-soi制程是在硅晶圆上制造轻薄绝缘氧化膜，再形成平面型电晶体电极的半导体制程。因外泄电流量少，用电效率最高提升近2倍，且可大幅缩减生产成本。2015年3月三星完成fd-soi产品测试阶段，目前也完成商用化生产准备。
韩国半导体业界人士表示，移动应用处理器（ap）等高集成芯片一般会使用传统3d finfet制成，结合类比电路的无线通讯（rf）芯片等，仍最适用fd-soi制程。三星为生产处理器之外的芯片，一定会使用fd-soi制程。
全球半导体龙头英特尔也宣布在晶圆代工市场上拓展领域。韩国业界先前预测英特尔2011年进军晶圆代工市场，而英特尔也透过与乐金电子（lg electronics）、展讯、拓朗半导体（altera）等大客户合作，正式跨足市场。近来英特尔获得arm设计授权，2017年下半将运用10纳米制程，生产乐金手机ap产品。
三星、英特尔等idm大厂加强对晶圆代工市场攻略的理由，是因相关市场获利性将持续成长。半导体微细制程转换逐渐进入瓶颈，ic设计业者委托生产具一定水准的芯片的成本也逐渐攀升。
外电引用市调机构ic insights资料指出，2016年半导体整体市场将出现2%负成长，但晶圆代工领域的成长率预估有9%。
另一方面，台积电独吞逾5成市占率的晶圆代工市场版图，是否会因三星和英特尔的攻势出现变化，受到市场关注。韩国业界认为在生产效益方面，台积电、格罗方德等专门晶圆代工业者握有优势，但在微细制程、封装等高难度制程方面，三星和英特尔则较为领先。
英特尔euv微影传延迟 营收与技术领先首当其冲
英特尔（intel）日前传出将延迟2年部署极紫外光（euv）微影技术消息，对此，评论认为，此举将让该公司出现非现金折旧支出而拖累营收，也可能让三星电子（samsung electronics）、globalfoundries与台积电等对手趁势坐大。该消息从技术上或财务上来看，对英特尔皆不利。
据amigobulls报导，英特尔过去几年来，持续透过投入数十亿美元资本支出，希望能领先其他晶圆代工业者，日前也积极部署资本密集的euv微影技术，以便能在2017年生产10纳米芯片，希望更提高其领先优势。
不过，由于翻新设备时程延迟以及可能出现良率问题，英特尔传出将延至2019年才会在7纳米引进euv微影，评论认为，此举等于可能让三星、globalfoundries与台积电有机会赶上。
过去10年来，随着技术节点出现多次进展，在效能、效率与功耗上都取得进步，但进入更细微节点后，便得面临物理定律问题。如今已出现进入10纳米以下，即使芯片厂投入钜资但相对取得性能进展已不多的窘境，所幸这时euv救兵出现。
目前业界是采用深紫外线（deep ultraviolet）微影技术来制造芯片，其原理类似相机技术，是透过镜头将光聚焦并在晶圆上蚀刻电路，但目前业者也面临在追求精准光束与尽量微小上遭遇受限的问题，且与物理定律脱离不了关系。
所幸euv微影更小的波长可轻易在更小规模下聚焦与控制euv雷射，让晶圆厂能在晶圆上刻下更小电路，理论上可一路顺利进展至5纳米。
过去少数报告也曾指出，使用euv制造芯片的速度比传统方式生产芯片快100倍，姑且不论是否属实，euv微影在持续微缩上确实有助益。
评论指出，英特尔曾率先表示，期望能在2017年开始使用euv生产10纳米芯片，换言之，euv能投片（ramp）被视为英特尔领先对手的因素，但该公司目前改为在2019~2020年在7纳米才引进euv微影，而且前提是假设10纳米没有投片问题。
另外，值得注意的是，英特尔对手三星、台积电与globalfoundries也计划届时将推出euv微影，如此对英特尔自然不是好消息。
评论认为，上述4家公司预计在2018~2019年前都会进入相同制程节点，英特尔若缺少euv加持，就芯片制造技术上已与其他对手无异，其制程领先优势也将化为无形。
另外，从财务角度来看，延迟euv技术同样不利英特尔。首先，部署euv所费不赀，初期单项工具高达1亿美元，据估计该公司截至2015年4月投入10亿美元，目前该金额势必早已增加。
除此之外，当初英特尔增加采购工具是为了在2017年让下一代技术商用，如今延后2年后，该段期间英特尔等于无法利用上述昂贵设备获利，未来2年非现金折旧费用持续增加后，将无形中影响英特尔营收。
再者，随着英特尔未来几年制程领先缩小，以安谋（arm）为主的伺服器产品也将快速出现。
因为预计2019年，高通（qualcomm）、超微（amd）与cavium将取得相同euv微影与相同节点，理论上，上述公司芯片性能将可接近英特尔xeon芯片，等于让英特尔在伺服器市场上将更难遏止arm为主产品出现斩获。
5G+无人机将会是下一个发展潮流?
Recogni在汽车行业“名人录”的支持下退出了隐形模式
续流二极管技术参数
荣耀v9评测：就是我想要的快
乐天将开设VR主题乐园，并提供超过60种VR游戏项目和设施
英特尔、三星等涉足晶圆代工 台积电市场压力增大
Vishay推出用于直接IGBT安装的镀金属聚丙烯膜缓冲电容器
2019年iPhone将是具有增强现实能力的三个先进3D传感镜头
你了解Linux中7个判断文件系统类型的方法？
电力电容器的作用与规格型号
物联网协议的主要特征及优缺点
华为东莞云数据中心入选节能优秀案例
详解智能座舱内部的各种摄像头
电池隔离器
Nexus One：G赚的不是硬件，是线上服务
后米物联安灯系统解决方案
温彻斯特硬盘的前世今生
FPGA芯片的未来发展趋势会是怎样的
LCD拼接屏与led显示大屏的区别
如何排除DC-DC降压转换器的故障