IMEC上周宣布了一项新的技术,制造了全球最小的SRAM芯片

地球上除了ibm、英特尔、台积电、三星具有强大的半导体工艺研发技术实力之外,比利时微电子中心imec也是全球知名的半导体研发中心,国内的14nm finfet工艺就是跟他们合作的。
在新一代半导体工艺上,除了三星提及5nm及之后3nm工艺之外,其他家都没有具体的5nm、3nm工艺细节披露,imec上周则宣布了一项新的技术,制造了全球最小的sram芯片,面积缩小了24%,可适用于未来的5nm工艺。
由于结构更简单等原因,每一代新工艺中研发人员往往会使用sram芯片做试点,谁造出的sram芯片核心面积更小就意味着工艺越先进,此前的记录是三星在今年2月份的国际会议上宣布的6t 256mb sram芯片,面积只有0.026mm2。
不过imec上周联合unisantis公司开发的新一代6t 256mb sram芯片打破了这个记录,核心面积只有0.0184到0.0205mm2,相比三星的sram微缩了24%。
面积能大幅缩小的原因就在于使用了新的晶体管结构,unisantis与imec使用的是前者开发的垂直型环绕栅极(surrounding gate transistor,简称sgt)结构,最小栅极距只有50nm。
研究表明,与水平型gaa晶体管相比,垂直型sgt单元gaa晶体管面积能够缩小20-30%,同时在工作电压、漏电流及稳定性上表现更佳。
目前imec正在跟unisantis公司一起定制新工艺的关键工艺流程及步骤,通过一种新颖的工艺协同优化dtco技术,研发人员就能使用50nm间距制造出0.0205mm2的sram单元,该工艺能够适用于未来的5nm工艺节点。
此外,该工艺还能使用euv光刻工艺,减少工艺步骤,从而使得设计成本与传统finfet工艺相当

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