常忆科技推出全球首颗256Kbit序列闪存产品PM25LD256C
***新竹，常忆科技于2011年7月29日正式宣布推出全球第一颗256kbit序列闪存产品─pm25ld256c。
市场上既有的序列闪存厂商之技术, 由于在小容量产品上已无法有效降低die size及成本, 因此序列闪存产品在业界之最小容量一般只做到512kbit, 惟常忆科技以pflash的专利设计才能有效降低512kbit以下容量的flash die size, 故决定推出该项业界独有之产品。
常忆科技256kbit序列闪存产品的主要应用市场,是在需要极小容量程序代码或数据存储的运用方面,如nb/pc cam、游戏机、服务器、数字机上盒、数字电视等等原本使用eeprom 32kbit ~ 256kbit之应用。在不增加现有接脚数, 且能提供极佳读写速度, 擦写次数, 低耗电量及长期数据保存年限, 并帮助系统厂商降低原本较昂贵的eeprom成本最高可达60%, 常忆科技256kbit序列闪存产品是最合适的选择。
藉由pmos band-to-band-tunnel(btbt)专利的制程结构，0.18um pflash 在-40度c至105度c可确保在经过20万次擦写后仍可保存资料长达20年。相较同业普遍使用的其它技术，die size面积约可缩小百分之40，并降低使用功率以及静态电流, 故常忆科技之序列闪存在过去十年持续提高出货量及市占率, 质量表现在2010全年累计为0.4ppm, 更为闪存创下业界品质之标竿。
常忆科技已于今年四月推出pm25ld256c样品后，于七月正式量产。相关产品说明请至常忆科技网站查询。
以下为pm25ld256c产品之主要功能说明:
功能
容量: 256kbit; 符合serial peripheral interface基本协议架构
抹除单位: 4k-byte or 32k-byte
写入单位: 256-byte per page
工作电压范围 : 2.7-3.6v
符合工业级温度范围 -40 ~ 105’c
性能表现
读取性能表现: max 100mhz for fast read
写入性能表现(时间): typical 2ms per page program
抹除性能表现(时间): sector/block/chip max 7ms
耗电表现: typical 1ma active read current, typical 10ma program/erase current
擦写次数: min 200,000 cycles
资料保存年限: min 20 years
封装
业界标准之 8 pin soic, tssop, uson, kgd
符合rohs的无铅封装
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常忆科技256kbit序列闪存产品的主要应用市场,是在需要极小容量程序代码或数据存储的运用方面,如nb/pc cam、游戏机、服务器、数字机上盒、数字电视等等原本使用eeprom 32kbit ~ 256kbit之应用。在不增加现有接脚数, 且能提供极佳读写速度, 擦写次数, 低耗电量及长期数据保存年限, 并帮助系统厂商降低原本较昂贵的eeprom成本最高可达60%, 常忆科技256kbit序列闪存产品是最合适的选择。
藉由pmos band-to-band-tunnel(btbt)专利的制程结构，0.18um pflash 在-40度c至105度c可确保在经过20万次擦写后仍可保存资料长达20年。相较同业普遍使用的其它技术，die size面积约可缩小百分之40，并降低使用功率以及静态电流, 故常忆科技之序列闪存在过去十年持续提高出货量及市占率, 质量表现在2010全年累计为0.4ppm, 更为闪存创下业界品质之标竿。
常忆科技已于今年四月推出pm25ld256c样品后，于七月正式量产。相关产品说明请至常忆科技网站查询。
以下为pm25ld256c产品之主要功能说明:
功能
容量: 256kbit; 符合serial peripheral interface基本协议架构
抹除单位: 4k-byte or 32k-byte
写入单位: 256-byte per page
工作电压范围 : 2.7-3.6v
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性能表现
读取性能表现: max 100mhz for fast read
写入性能表现(时间): typical 2ms per page program
抹除性能表现(时间): sector/block/chip max 7ms
耗电表现: typical 1ma active read current, typical 10ma program/erase current
擦写次数: min 200,000 cycles
资料保存年限: min 20 years
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