国星光电第三代半导体新品NS62m功率模块上线
半导体产业网讯：近日，国星光电研究院基于宽禁带半导体碳化硅技术，全新推出“ns62m sic mosfet功率模块新品”，可应用于传统工控、储能逆变、ups、充电桩、轨道交通和其他功率变换领域。
能源转型储能风起正当时
在“双碳”目标背景下，我国电力系统将向以新能源为主体的新型电力系统转型，储能作为灵活调节电源在新型电力系统中承担重任。而储能逆变器是储能系统中关键的一环，可控制储能电池组充电和放电过程，在提高储能系统的效率及降低成本方面起着重要作用。
面向储能逆变器市场，国星光电ns62m功率模块新品依托sic mosfet芯片的优异性能，提高了功率模块的电流密度以及开关频率，降低了开关损耗和导通损耗，减少了无源器件的使用和冷却装置的尺寸，最终达到降低系统成本、提升系统效率的目的。
四大优势全面揭晓ns62m
兼容灵活性能佳
国星光电ns62m功率模块采用标准型封装，半桥拓扑设计，内置ntc热敏电阻，可实现温度监控；采用62mm尺寸标准基板和接口，可兼容行业内各大主流产品，实现快速替换使用；具有150℃的连续工作温度(tvjop)和优秀的温度循环能力，器件可靠性表现卓越。
全桥拓扑可并联
ns62m功率模块以半桥电路结构应用于逆变器中。在实际应用中，一般会以2个或3个ns62m功率模块并联的形式构成单相全桥拓扑或三相桥拓扑，将直流电变成频率、幅值可调的交流电，实现逆变功能。基于ns62m功率模块内sic mosfet的体二极管具有出色的开关特性和反向恢复性能，因此在无需额外搭配二极管器件，更可满足多数场景下的续流要求。
如图中橙色框图部分所示，每个框图代表一个ns62m功率模块，此图为2个ns62m功率模块并联的形式构成单相全桥拓扑。
参数对比见真章
ns62m功率模块在工作时可达到更高的开关频率、更低的开关损耗，同时，可帮助变换器系统效率的提升和散热结构成本的降低。
根据实验数据可得，与市场同等电流规格的产品对比，ns62m功率模块动态特性开通延迟时间减少79纳秒；上升时间减少42纳秒；关断延迟时间减少468纳秒。开启损耗降低82%，关断损耗降低92%，整体开关损耗表现优秀。
产品丰富因需至
针对传统工控、储能逆变、充电桩等应用领域的需求，国星光电ns62m sic mosfet模块系列型号丰富，可供选择。依托国星光电先进的第三代半导体器件生产线，公司可响应不同封装及规格的sic功率模块定制开发需求，为客户提供高质量的定制化产品服务。
目前，国星光电正加速深入第三代半导体赛道，以自主创新为驱动，努力攻克技术难关，加速科技成果转化，推动产品迭代更新，为第三代半导体产业化高质量发展注入源源不断的新活力。
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面向储能逆变器市场，国星光电ns62m功率模块新品依托sic mosfet芯片的优异性能，提高了功率模块的电流密度以及开关频率，降低了开关损耗和导通损耗，减少了无源器件的使用和冷却装置的尺寸，最终达到降低系统成本、提升系统效率的目的。
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兼容灵活性能佳
国星光电ns62m功率模块采用标准型封装，半桥拓扑设计，内置ntc热敏电阻，可实现温度监控；采用62mm尺寸标准基板和接口，可兼容行业内各大主流产品，实现快速替换使用；具有150℃的连续工作温度(tvjop)和优秀的温度循环能力，器件可靠性表现卓越。
全桥拓扑可并联
ns62m功率模块以半桥电路结构应用于逆变器中。在实际应用中，一般会以2个或3个ns62m功率模块并联的形式构成单相全桥拓扑或三相桥拓扑，将直流电变成频率、幅值可调的交流电，实现逆变功能。基于ns62m功率模块内sic mosfet的体二极管具有出色的开关特性和反向恢复性能，因此在无需额外搭配二极管器件，更可满足多数场景下的续流要求。
如图中橙色框图部分所示，每个框图代表一个ns62m功率模块，此图为2个ns62m功率模块并联的形式构成单相全桥拓扑。
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ns62m功率模块在工作时可达到更高的开关频率、更低的开关损耗，同时，可帮助变换器系统效率的提升和散热结构成本的降低。
根据实验数据可得，与市场同等电流规格的产品对比，ns62m功率模块动态特性开通延迟时间减少79纳秒；上升时间减少42纳秒；关断延迟时间减少468纳秒。开启损耗降低82%，关断损耗降低92%，整体开关损耗表现优秀。
产品丰富因需至
针对传统工控、储能逆变、充电桩等应用领域的需求，国星光电ns62m sic mosfet模块系列型号丰富，可供选择。依托国星光电先进的第三代半导体器件生产线，公司可响应不同封装及规格的sic功率模块定制开发需求，为客户提供高质量的定制化产品服务。
目前，国星光电正加速深入第三代半导体赛道，以自主创新为驱动，努力攻克技术难关，加速科技成果转化，推动产品迭代更新，为第三代半导体产业化高质量发展注入源源不断的新活力。
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