LED背光漏电流故障解决方案BoostPak
配置背光的一种标准方法是使用两个分立式器件：一个采用dpak封装的100vmosfet，以及一个同样采用dpak封装的100v肖特基二极管。led背光单元中，肖特基二极管的高漏电流可能会造成一些问题，尤其在较高温度下。某些客户曾遇到量产时肖特基二极管出现泄漏故障的问题。改善泄漏故障的一种方法是将肖特基二极管的额定电压从100v增加到120v，但系统温度较高时，漏电流依然是个问题。
飞兆半导体的设计团队开发了一种替代方法，即采用100vboostpak解决方案。boostpak系列（图1）在单封装内集成两个器件：一个100vmosfet和一个150vnp二极管。
图1.boostpak在单封装内集成100vmosfet和150vnp二极管
boostpak系列采用5引脚dpak单封装。n沟道mosfet针对最大程度降低导通电阻并保持出色的开关性能而设计。np二极管为超快速整流器，带低正向导通压降，具有出色的开关性能。相比肖特基二极管，它具有低得多的漏电流，在高温应用中提供更高的系统可靠性。
相比双分立器件解决方案，boostpak方案的尺寸更小，可节省多达20mm2的pcb空间。使用单封装而非两个封装还意味着装配更方便、系统成本更低。
boostpak系列提供两种版本，一种额定输出功率为25w，另一种额定值为40w。表1列出详细信息。
表1.boostpak装配规格
更高温度下的性能更佳
我们想要知道np二极管的漏电流到底有多低，因此我们进行了一些测试。测试结果如图2所示。
图2：二极管漏电流比较
与100v、5a肖特基二极管相比，150v、5aboostpak系列np二极管在所有条件下的额定漏电流值低得多，但两者在高温下差别极大。随着温度上升，肖特基二极管的漏电流以极快的速度增加，而相比之下np二极管的漏电流依然较低。
boostpak系列的np二极管采用绝佳的生命周期控制工艺制成，以实现极快速的反向恢复时间和合理的正向压降（vf（典型值）：0.9v，条件为if=5a、tj=100度）
图3：对反向恢复时间进行比较
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