给大伙揭秘一、二、三代半导体材料有哪些？
这些年整个集成电路行业都陷入了瓶颈，处理器工艺制程难以精进，摩尔定律似乎已经走向了没落，半导体行业一直想要找出可以替代硅（si）的半导体材料，但尝试了各种后发现还是硅（si）好挣钱。
虽然硅（si）在集成电路芯片制造上目前无法被替代，但经过了这么多年的发展，每一个成熟的半导体材料自己都可以带动一个行业的发展，那么目前行业里有哪些半导体材料呢？
第一代半导体：
业界将半导体材料进行过分类，前面提到的硅（si）和锗（ge）是第一代半导体材料。
硅（si）：前面提到的硅（si）是目前应用最广泛的半导体材料，集成电路基本都是由硅（si）制造。硅（si）被大家广为熟知是因为它是cpu的材料，英特尔和amd的处理器都是基于硅（si）所打造的，当然除了cpu，gpu芯、存储闪存也都是硅（si）的天下。
锗（ge）：锗（ge）是早期晶体管的材料，可以说正是硅（si）出现之后锗（ge）才走向了没落，不过也只是锗（ge）并没有被硅（si）完全取代，作为重要的半导体材料之一，锗（ge）依旧活跃在一些光纤、太阳能电池等通道领域。
第一代半导体材料的不管是技术开发还是还是成本把握都最为成熟，所以即使后面的第二、第三代半导体材料在某些特性表现方面完全超越了硅（si），却也没有办法商用取代硅（si）的价值，无法带来硅（si）这样的高收益才是关键。
第二代半导体：
第二代半导体材料与第一代半导体有本质的不同，第一代半导体的硅（si）和锗（ge）属于单质半导体，也就是由单一物质构成。而第二代属于化合物半导体材料，由两种或两种以上元素合成而来，并且拥有半导体特性，第二代半导体常见的是砷化镓（gaas）和磷化铟 （inp）。
砷化镓（gaas）：砷化镓（gaas）是第二代半导体材料的标志性产物之一，我们经常听说的的led发光二极管，就有砷化镓（gaas）参与。
砷化镓（gaas）
磷化铟 （inp）：磷化铟 （inp）由金属铟和赤磷在石英管中加热反应制作，特点是耐高温、高频率和高速率，因此在通讯行业被广泛应用，用于制作通信器件。
第二代半导体可以说是4g时代的基盘，很多4g设备使用的材料都是基于第二代半导体材料打造。
第三代半导体：
第三代半导体同样属于化合物半导体材料，特点是高禁带宽度、高功率和高频以及高电压等，代表产品是，碳化硅（sic）和氮化镓（gan）。
碳化硅（sic）：碳化硅（sic）的特性有耐高温、耐高压，非常适合是做功率器件开关，如很多主板上高端mosfet就是由碳化硅（sic）制作的。
mosfet
氮化镓（gan）：氮化镓（gan）碳化硅（sic）一样都是高禁带宽度半导体，特性是能耗低、适合高频率，适合打造5g基站，唯一的缺点就是技术成本过高，很难在商用领域看到。
目前国内比较流行推广第三代半导体的发展，原因是国内外起点差距小，还有竞争的机会。
注意事项：
虽然这些半导体材料被认为划分到为第一代、第二代，听起来也像是迭代的产品，但其实这些第一代、第二代、第三代半导体材料并不是替代关系，它们的特性不同，应用的场景也不一样，一二三代只是行业一种区分标识，只是根据材料进行了划分，有些场景化甚至会同时应用在一起。
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硅（si）：前面提到的硅（si）是目前应用最广泛的半导体材料，集成电路基本都是由硅（si）制造。硅（si）被大家广为熟知是因为它是cpu的材料，英特尔和amd的处理器都是基于硅（si）所打造的，当然除了cpu，gpu芯、存储闪存也都是硅（si）的天下。
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第二代半导体：
第二代半导体材料与第一代半导体有本质的不同，第一代半导体的硅（si）和锗（ge）属于单质半导体，也就是由单一物质构成。而第二代属于化合物半导体材料，由两种或两种以上元素合成而来，并且拥有半导体特性，第二代半导体常见的是砷化镓（gaas）和磷化铟 （inp）。
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磷化铟 （inp）：磷化铟 （inp）由金属铟和赤磷在石英管中加热反应制作，特点是耐高温、高频率和高速率，因此在通讯行业被广泛应用，用于制作通信器件。
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第三代半导体：
第三代半导体同样属于化合物半导体材料，特点是高禁带宽度、高功率和高频以及高电压等，代表产品是，碳化硅（sic）和氮化镓（gan）。
碳化硅（sic）：碳化硅（sic）的特性有耐高温、耐高压，非常适合是做功率器件开关，如很多主板上高端mosfet就是由碳化硅（sic）制作的。
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注意事项：
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