非易失性存储器-Nor Flash的特点都有哪些
flash（快闪或闪存）由intel公司于1988年首先推出的是一种可用电快速擦除和编程的非易失性存储器，其快速是相对于eeprom而言的。flash从芯片工艺上分为nor flash和nand flash两大类。
nor flash
nor flash的特点是芯片内执行（xip ），应用程序可以直接在内存flash内运行，不必再把代码读到系统ram中。nor flash的传输效率很高，在1~4mb的小容量时具有很高的成本效益。
nand flash
nand flash的结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度很快;然而其管理和控制比较复杂。
非易失性存储器–nor flash
nor flash根据数据传输的位数可以分为并行和串行，并行nor flash每次传输多个bit位的数据;而串行nor flash每次传输一个bit位的数据。并行nor flash比串行nor flash具有更快的传输速度。
串行nor flash
主要接口有spi、dual spl、quad spi模式。
并行nor flash
主要接口有8位、16位、8位/16位可选的数据传输方式。
非易失性存储器-nor flash特点
特点：nor flash是非易失存储，一般用于程序代码存储
主推容量256kb-512mb
串行：mcu带spi口、io口比较少、成本低、体积小、速度不高，应用十分广泛。并行：mcu需带外部总线，速度快，内部无flash等。用在amr9、arm11、a7、a8、a9等高端平台上。
非易失性存储器-nand flash特点
特点：容量大，写速度快等优点适用于大数据的存储
主推容量512mb-8gb
并行：muc带外部存储控制器、数据量大、速度快，用在amr9、arm11、a7、a8、a9等高端mcu上;跑wince/linux/android等操作系统
串行：mcu带spi口、io口比较少、成本低、体积小
nor flash与nand flash的区别
nor
1.读速度快，写速度慢，2擦除速度慢，3.擦除次数约10万次，4.容量小256kb-512mb，5.单位容量价格高，适用于小容量程序存储，6.不易产生坏块
nand
1.读速度慢，写速度快，2.擦除速度快（（ 1000:1），3.擦除次数约100万次，4.容量大512mb-8gb，5.单位容量价格低，适用于大容量数据存储，6.较易产生坏块，需ecc校验。
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串行nor flash
主要接口有spi、dual spl、quad spi模式。
并行nor flash
主要接口有8位、16位、8位/16位可选的数据传输方式。
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特点：nor flash是非易失存储，一般用于程序代码存储
主推容量256kb-512mb
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nor
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nand
1.读速度慢，写速度快，2.擦除速度快（（ 1000:1），3.擦除次数约100万次，4.容量大512mb-8gb，5.单位容量价格低，适用于大容量数据存储，6.较易产生坏块，需ecc校验。
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