过压保护电路实例分析
1.简介
瞬态总线电压会严重破坏集成电路。一个集成电路可以处理的最大电压由设计流程决定，尤其是，一些小的cmos结构器件能处理的电压很低。瞬态或持续的过压条件将永久破坏设备。
2.电路
lmv431aimf（d1）可调参考可以确定一个精确的跳变点并且维持温度稳定性。（它有a版本1%或b版本0.5%精度可选择），r1和r2选择精度1%以上的电阻。
lmv431aimf有两个基本的组件：一个温度稳定的精密带隙参考，和一个高增益误差放大器。下图为lmv431aimf内部概念图。
输入电压经过r1和r2分压接到fb脚。上图设置跳变点在19.2v，但是跳变点的电压值可以被任意设置，根据下面的公式:
当参考引脚超过1.24v，lmv431的输出被下拉。它的负极可以降到1.2v的饱和点。足够关闭q2。q2特别选择了比较高的栅极阈值电压（>1.3v）。真值表如下：
这个电路功能如图三所示。跳变点可在2.7v到60v范围内设置。低于2.7v，电路将进入关断状态。因为没有足够的输入电压满足q1和q2栅极到源极的阈值电压。（低于2.7v，不太理解，此处先记下）
在关断状态这个电路负载为42k。稳压管d2和d3限制电压不超过q1和q2的最大栅源电压（<20v）。d3同样可以保护d1的负极不超过35v。r4给q2提供少量偏置，在关断状态，满足q2的漏极泄漏。主要q1上的体二极管，这意味着当输入是反向电池（负的输入电压），这个电路对负载没有保护了。为了防止反向电池，需要增加一个阻流二极管或者附加（back to back）pfet。
这个电路启动很快，但重新连接很慢。当侦测到过压条件，c1通过lmv431迅速放电到地。当电路恢复正常时，会存在r3*c1时间常数的延迟。大多数负载（通常是稳压器）都包含大量的输入电容，它可以限制瞬态压摆率率为断开的电路重新连接提供充足的时间。预期瞬态的性质以及电容将决定所需的响应时间。这个电路的关闭动作在12微秒内发生。（此处不理解?）最大瞬态上升时间与cload时间隔成比例。该电路使用1μf的cload进行测试。如果期望上升时间很快，瞬态源阻抗很低，建议使用更大的cload。
3.测量响应时间
图示是电路对12v开关的响应。关闭部分缓慢衰变，因为1uf cload通过1k测试电阻放电，需要时间。驱动波形显示同样的衰变，因为测试源不吸收电流。
过压下的响应如图5所示。注意过压事件上升很快吗，有时间将输出充电到19.2v。之后，断开的输入的输出电压被1k电阻耗散。
移除cload，观察驱动速度，见图6。由于输入瞬态的上升时间不受任何电容限制，
在电路动作之前，输出电压被充电至60v。出于这个原因，cload的值应该适合预期的瞬态上升时间和预期的瞬态源阻抗。
4.负载限制
由于q1的在85°c的热限制，负载最大550ma。当栅源电压很低时，rds(on)变大。如果需要接更大的负载，可以用热功率大（θja小）或者更低的rds(on)替换q1。
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lmv431aimf有两个基本的组件：一个温度稳定的精密带隙参考，和一个高增益误差放大器。下图为lmv431aimf内部概念图。
输入电压经过r1和r2分压接到fb脚。上图设置跳变点在19.2v，但是跳变点的电压值可以被任意设置，根据下面的公式:
当参考引脚超过1.24v，lmv431的输出被下拉。它的负极可以降到1.2v的饱和点。足够关闭q2。q2特别选择了比较高的栅极阈值电压（>1.3v）。真值表如下：
这个电路功能如图三所示。跳变点可在2.7v到60v范围内设置。低于2.7v，电路将进入关断状态。因为没有足够的输入电压满足q1和q2栅极到源极的阈值电压。（低于2.7v，不太理解，此处先记下）
在关断状态这个电路负载为42k。稳压管d2和d3限制电压不超过q1和q2的最大栅源电压（<20v）。d3同样可以保护d1的负极不超过35v。r4给q2提供少量偏置，在关断状态，满足q2的漏极泄漏。主要q1上的体二极管，这意味着当输入是反向电池（负的输入电压），这个电路对负载没有保护了。为了防止反向电池，需要增加一个阻流二极管或者附加（back to back）pfet。
这个电路启动很快，但重新连接很慢。当侦测到过压条件，c1通过lmv431迅速放电到地。当电路恢复正常时，会存在r3*c1时间常数的延迟。大多数负载（通常是稳压器）都包含大量的输入电容，它可以限制瞬态压摆率率为断开的电路重新连接提供充足的时间。预期瞬态的性质以及电容将决定所需的响应时间。这个电路的关闭动作在12微秒内发生。（此处不理解?）最大瞬态上升时间与cload时间隔成比例。该电路使用1μf的cload进行测试。如果期望上升时间很快，瞬态源阻抗很低，建议使用更大的cload。
3.测量响应时间
图示是电路对12v开关的响应。关闭部分缓慢衰变，因为1uf cload通过1k测试电阻放电，需要时间。驱动波形显示同样的衰变，因为测试源不吸收电流。
过压下的响应如图5所示。注意过压事件上升很快吗，有时间将输出充电到19.2v。之后，断开的输入的输出电压被1k电阻耗散。
移除cload，观察驱动速度，见图6。由于输入瞬态的上升时间不受任何电容限制，
在电路动作之前，输出电压被充电至60v。出于这个原因，cload的值应该适合预期的瞬态上升时间和预期的瞬态源阻抗。
4.负载限制
由于q1的在85°c的热限制，负载最大550ma。当栅源电压很低时，rds(on)变大。如果需要接更大的负载，可以用热功率大（θja小）或者更低的rds(on)替换q1。
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