NXP推出LPC1100LV系列ARM Cortex-M0微控制器
恩智浦半导体nxp semiconductors n.v. (nasdaq：nxpi) 近日宣布推出lpc1100lv系列，这是全球首款支持1.65v至1.95v vdd和1.65v至3.6v vio双电源电压的arm® cortex™-m0微控制器。lpc1100lv系列采用2mm x 2mm微型封装，性能达到50 mips，功耗比同类3.3v vdd器件低三倍以上。lpc1100lv平台专门针对电池供电型终端应用而设计，包括手机、平板电脑、超级本（ultrabooks™）以及有源电缆、相机和便携式医疗电子设备的移动配件。
恩智浦半导体微控制器业务部市场总监jan jaap bezemer表示：“通常，在单个微型封装中目前还无法实现高性能双电源电压的产品。lpc1100lv系列在同一器件中将电池供电应用的这些关键要求独特地结合起来，使客户可以打造前所未有的低功耗解决方案。”
针对低功耗、快速唤醒而设计
得益于恩智浦最新256字节擦除扇区和低漏电流的嵌入式专有闪存，lpc1100lv可以在低时钟频率下出色地处理线性电流消耗，同时还能降低系统功耗。例如，在智能手机等移动系统中，多数系统元件需要在大多数时候保持功耗极低的睡眠模式。在需要使用器件时，必须在极短的时间内快速唤醒并达到峰值性能。而lpc1100lv的唤醒时间为5us，完全符合这一要求。
更高效地执行要求更高的任务
恩智浦的lpc1100lv器件可实现50 mips的性能，而8/16位mcu的典型性能仅为1至5 mips。其出色的表现使lpc1100lv可以更快地完成要求极高的任务，并减少保持活动模式的时间，从而进一步降低器件的平均功耗。对于相同的任务，lpc1100lv借助特有的1.65v-1.95v vdd低电压输入，功耗比竞争对手采用3.3v vdd输入的cortex-m0器件低三倍以上，比典型8/16位mcu低十倍以上。可以充分发挥lpc1100lv的mips性能优势的子系统包括：系统安全和验证 (包括处理aes-256加密)、系统接口和控制 (如键盘和触摸屏)、系统外设控制 (音频和照明) 以及软件堆栈的运行 (如蓝牙低功耗无线电)。
小尺寸和独特的电平转换功能
lpc1100lv采用恩智浦2-mm x 2-mm微型芯片级封装 (wlcsp) —— 是全球最小体积的32位mcu。该款器件同时提供5-mm x 5-mm hvqfn封装选择，为cpu和i/o提供1.8v vdd和3.3v vio双电压输入，并具有独特的ssp/spi (3.3v) 和i2c (1.8v) 间电平转换能力。恩智浦还为大客户提供sram、闪存和封装的定制组合。
lpc1100lv器件的其他关键技术参数包括：
·高达50mhz的cortex-m0 cpu
·1.6ua深度睡眠电流和5us唤醒时间
·最高8 kb sram和32 kb闪存
·spi、uart和i2c
·最高10位、8通道adc，采样率为400 ksps
·32位和16位定时器各2个
·精度为1%的12 mhz振荡器，
·wl-csp25、hvqfn24和hvqfn33三种封装选择 (提供bga封装)
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得益于恩智浦最新256字节擦除扇区和低漏电流的嵌入式专有闪存，lpc1100lv可以在低时钟频率下出色地处理线性电流消耗，同时还能降低系统功耗。例如，在智能手机等移动系统中，多数系统元件需要在大多数时候保持功耗极低的睡眠模式。在需要使用器件时，必须在极短的时间内快速唤醒并达到峰值性能。而lpc1100lv的唤醒时间为5us，完全符合这一要求。
更高效地执行要求更高的任务
恩智浦的lpc1100lv器件可实现50 mips的性能，而8/16位mcu的典型性能仅为1至5 mips。其出色的表现使lpc1100lv可以更快地完成要求极高的任务，并减少保持活动模式的时间，从而进一步降低器件的平均功耗。对于相同的任务，lpc1100lv借助特有的1.65v-1.95v vdd低电压输入，功耗比竞争对手采用3.3v vdd输入的cortex-m0器件低三倍以上，比典型8/16位mcu低十倍以上。可以充分发挥lpc1100lv的mips性能优势的子系统包括：系统安全和验证 (包括处理aes-256加密)、系统接口和控制 (如键盘和触摸屏)、系统外设控制 (音频和照明) 以及软件堆栈的运行 (如蓝牙低功耗无线电)。
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lpc1100lv器件的其他关键技术参数包括：
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·1.6ua深度睡眠电流和5us唤醒时间
·最高8 kb sram和32 kb闪存
·spi、uart和i2c
·最高10位、8通道adc，采样率为400 ksps
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