普通ESD和回扫ESD特性对比
普通esd和回扫esd对比
如今是5g时代，相比4g线路程控设备等，5g信号的传输速度更快，ic的敏感度更高，在电磁兼容的静电防护需求就提升到了一个更高的高度。
可回扫esd以往在普通ic中发挥不了很大的应用区别，但目前在华为等电信设备商的测试需求中，专门强调了防静电esd的回扫特性(snapback)。
那什么是静电器件的回扫特性呢?
可以对比下以下图片。
图一普通esd的特性曲线
图二snapback 回扫特性曲线esd曲线
图三回扫esd的特性参数
从以上图片的区别看出，回扫esd最大的特点是在vt触发电压之后，芯片会在瞬间降低esd两端的钳位电压，这个电压vh范围在工作电压和触发电压之间，然后在随着电流的增大，而电压逐步增加。在同样ipp电流的情况下，vc钳位电压比常规的esd器件低30%以上，极大的保证了被保护ic乃至整个电路的安全。
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原文标题：普通esd和回扫esd特性对比
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