PMOS开关管的选择与电路图
首先要进行mosfet的选择，mosfet有两大类型：n沟道和p沟道。在功率系统中，mosfet可被看成电气开关。当在n沟道mosfet的栅极和源极间加上正电压时，其开关导通。导通时，电流可经开关从漏极流向源极。漏极和源极之间存在一个内阻，称为导通电阻rds(on)。必须清楚mosfet的栅极是个高阻抗端，因此，总是要在栅极加上一个电压。这就是后面介绍电路图中栅极所接电阻至地。如果栅极为悬空，器件将不能按设计意图工作，并可能在不恰当的时刻导通或关闭，导致系统产生潜在的功率损耗。当源极和栅极间的电压为零时，开关关闭，而电流停止通过器件。虽然这时器件已经关闭，但仍然有微小电流存在，这称之为漏电流，即idss。
第一步：选用n沟道还是p沟道
为设计选择正确器件的第一步是决定采用n沟道还是p沟道mosfet。在典型的功率应用中，当一个mosfet接地，而负载连接到干线电压上时，该mosfet就构成了低压侧开关。在低压侧开关中，应采用n沟道mosfet，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当mosfet连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用p沟道mosfet，这也是出于对电压驱动的考虑。
第二步：确定额定电流
第二步是选择mosfet的额定电流。视电路结构而定，该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似，设计人员必须确保所选的mosfet能承受这个额定电流，即使在系统产生尖峰电流时。两个考虑的电流情况是连续模式和脉冲尖峰。该参数以fdn304p管datasheet为参考，参数如图所示：
在连续导通模式下，mosfet处于稳态，此时电流连续通过器件。脉冲尖峰是指有大量电涌(或尖峰电流)流过器件。一旦确定了这些条件下的最大电流，只需直接选择能承受这个最大电流的器件便可。
选好额定电流后，还必须计算导通损耗。在实际情况下，mosfet并不是理想的器件，因为在导电过程中会有电能损耗，这称之为导通损耗。mosfet在“导通”时就像一个可变电阻，由器件的rds(on)所确定，并随温度而显著变化。器件的功率耗损可由iload2×rds(on)计算，由于导通电阻随温度变化，因此功率耗损也会随之按比例变化。对mosfet施加的电压vgs越高，rds(on)就会越小;反之rds(on)就会越高。对系统设计人员来说，这就是取决于系统电压而需要折中权衡的地方。对便携式设计来说，采用较低的电压比较容易(较为普遍)，而对于工业设计，可采用较高的电压。注意rds(on)电阻会随着电流轻微上升。关于rds(on)电阻的各种电气参数变化可在制造商提供的技术资料表中查到。
第三步：确定热要求
选择mosfet的下一步是计算系统的散热要求。设计人员必须考虑两种不同的情况，即最坏情况和真实情况。建议采用针对最坏情况的计算结果，因为这个结果提供更大的安全余量，能确保系统不会失效。在mosfet的资料表上还有一些需要注意的测量数据;比如封装器件的半导体结与环境之间的热阻，以及最大的结温。
器件的结温等于最大环境温度加上热阻与功率耗散的乘积(结温=最大环境温度+[热阻×功率耗散])。根据这个方程可解出系统的最大功率耗散，即按定义相等于i2×rds(on)。由于设计人员已确定将要通过器件的最大电流，因此可以计算出不同温度下的rds(on)。值得注意的是，在处理简单热模型时，设计人员还必须考虑半导体结/器件外壳及外壳/环境的热容量;即要求印刷电路板和封装不会立即升温。
通常，一个pmos管，会有寄生的二极管存在，该二极管的作用是防止源漏端反接，对于pmos而言，比起nmos的优势在于它的开启电压可以为0，而ds电压之间电压相差不大，而nmos的导通条件要求vgs要大于阈值，这将导致控制电压必然大于所需的电压，会出现不必要的麻烦。选用pmos作为控制开关，有下面两种应用：
第一种应用，由pmos来进行电压的选择，当v8v存在时，此时电压全部由v8v提供，将pmos关闭，vbat不提供电压给vsin，而当v8v为低时，vsin由8v供电。注意r120的接地，该电阻能将栅极电压稳定地拉低，确保pmos的正常开启，这也是前文所描述的栅极高阻抗所带来的状态隐患。d9和d10的作用在于防止电压的倒灌。d9可以省略。这里要注意到实际上该电路的ds接反，这样由附生二极管导通导致了开关管的功能不能达到，实际应用要注意。
来看这个电路，控制信号pgc控制v4.2是否给p_gprs供电。此电路中，源漏两端没有接反，r110与r113存在的意义在于r110控制栅极电流不至于过大，r113控制栅极的常态，将r113上拉为高，截至pmos，同时也可以看作是对控制信号的上拉，当mcu内部管脚并没有上拉时，即输出为开漏时，并不能驱动pmos关闭，此时，就需要外部电压给予的上拉，所以电阻r113起到了两个作用。r110可以更小，到100欧姆也可。
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第一步：选用n沟道还是p沟道
为设计选择正确器件的第一步是决定采用n沟道还是p沟道mosfet。在典型的功率应用中，当一个mosfet接地，而负载连接到干线电压上时，该mosfet就构成了低压侧开关。在低压侧开关中，应采用n沟道mosfet，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当mosfet连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用p沟道mosfet，这也是出于对电压驱动的考虑。
第二步：确定额定电流
第二步是选择mosfet的额定电流。视电路结构而定，该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似，设计人员必须确保所选的mosfet能承受这个额定电流，即使在系统产生尖峰电流时。两个考虑的电流情况是连续模式和脉冲尖峰。该参数以fdn304p管datasheet为参考，参数如图所示：
在连续导通模式下，mosfet处于稳态，此时电流连续通过器件。脉冲尖峰是指有大量电涌(或尖峰电流)流过器件。一旦确定了这些条件下的最大电流，只需直接选择能承受这个最大电流的器件便可。
选好额定电流后，还必须计算导通损耗。在实际情况下，mosfet并不是理想的器件，因为在导电过程中会有电能损耗，这称之为导通损耗。mosfet在“导通”时就像一个可变电阻，由器件的rds(on)所确定，并随温度而显著变化。器件的功率耗损可由iload2×rds(on)计算，由于导通电阻随温度变化，因此功率耗损也会随之按比例变化。对mosfet施加的电压vgs越高，rds(on)就会越小;反之rds(on)就会越高。对系统设计人员来说，这就是取决于系统电压而需要折中权衡的地方。对便携式设计来说，采用较低的电压比较容易(较为普遍)，而对于工业设计，可采用较高的电压。注意rds(on)电阻会随着电流轻微上升。关于rds(on)电阻的各种电气参数变化可在制造商提供的技术资料表中查到。
第三步：确定热要求
选择mosfet的下一步是计算系统的散热要求。设计人员必须考虑两种不同的情况，即最坏情况和真实情况。建议采用针对最坏情况的计算结果，因为这个结果提供更大的安全余量，能确保系统不会失效。在mosfet的资料表上还有一些需要注意的测量数据;比如封装器件的半导体结与环境之间的热阻，以及最大的结温。
器件的结温等于最大环境温度加上热阻与功率耗散的乘积(结温=最大环境温度+[热阻×功率耗散])。根据这个方程可解出系统的最大功率耗散，即按定义相等于i2×rds(on)。由于设计人员已确定将要通过器件的最大电流，因此可以计算出不同温度下的rds(on)。值得注意的是，在处理简单热模型时，设计人员还必须考虑半导体结/器件外壳及外壳/环境的热容量;即要求印刷电路板和封装不会立即升温。
通常，一个pmos管，会有寄生的二极管存在，该二极管的作用是防止源漏端反接，对于pmos而言，比起nmos的优势在于它的开启电压可以为0，而ds电压之间电压相差不大，而nmos的导通条件要求vgs要大于阈值，这将导致控制电压必然大于所需的电压，会出现不必要的麻烦。选用pmos作为控制开关，有下面两种应用：
第一种应用，由pmos来进行电压的选择，当v8v存在时，此时电压全部由v8v提供，将pmos关闭，vbat不提供电压给vsin，而当v8v为低时，vsin由8v供电。注意r120的接地，该电阻能将栅极电压稳定地拉低，确保pmos的正常开启，这也是前文所描述的栅极高阻抗所带来的状态隐患。d9和d10的作用在于防止电压的倒灌。d9可以省略。这里要注意到实际上该电路的ds接反，这样由附生二极管导通导致了开关管的功能不能达到，实际应用要注意。
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